[发明专利]半导体器件及驱动该半导体器件的方法

说明书

一种半导体器件，包括：第一控制器，适用于根据外部刷新信号而产生用于控制两种或更多种类型的刷新操作的刷新控制信号；以及第二控制器，适用于根据刷新控制信号而控制多个字线，以使得在与外部刷新信号相对应的单元刷新时段期间两种或更多种类型的刷新操作交替执行预定次数。

相关申请的交叉引用

本申请要求2014年10月17日提交的申请号为10-2014-0141052的韩国专利申请的优先权，其全部内容通过引用合并于此。

技术领域

本发明的示范性实施例涉及一种半导体设计技术，更具体地，涉及一种支持刷新操作的半导体器件，以及用于驱动该半导体器件的方法。

背景技术

随着存储器集成度的增加，字线之间的间距减小。减小字线之间的间距已经引起相邻字线之间的耦合效应的增加。

每当数据输入到存储单元或从存储单元输出时，字线在有效状态和无效状态之间切换。如上所述，由于相邻字线之间的耦合效应增加，耦接到与频繁激活的字线相邻的字线的存储单元中的数据可能受到损坏。这种现象被称为字线干扰。字线干扰可以引起这样的问题，即存储单元中的数据在存储单元刷新之前被损坏。

为了解决这个问题，已经出现了智能刷新技术。智能刷新技术检测已经频繁激活的目标字线，并且刷新耦接至与目标字线相邻的字线的存储单元。智能刷新技术包括与正常刷新操作(例如，自动刷新操作)分开执行的附加刷新操作。

图1是说明第一常规半导体器件的操作的时序图。

参考图1，响应于单个外部刷新信号EXT_REF而执行两个自动刷新操作AR和两个智能刷新操作SR+1和SR-1。在与单个外部刷新信号EXT_REF相对应的单元刷新时段期间，多个存储体BANK0/1、BANK2/3、BANK4/5和BANK6/7根据第一自动刷新操作AR而同时激活第1字线至第8字线，根据第一智能刷新操作SR+1而激活与第 N字线相邻的第(N+1)字线，根据第二智能刷新操作SR-1而激活与第N字线相邻的第(N-1)字线，以及最后根据第二自动刷新操作AR而同时激活第9字线至第16字线。

换言之，在每个外部刷新信号EXT_REF的单元刷新时段期间，重复执行两个自动刷新操作AR以及两个智能刷新操作SR+1和SR-1。

当如上所述操作第一半导体器件时，可能出现以下问题。由于重复执行两个自动刷新操作AR以及两个智能刷新操作SR+1和SR-1，因此在先前单元刷新时段的第二自动刷新操作AR和在当前单元刷新时段的第一自动刷新操作相继地执行。与智能刷新操作SR+1和SR-1同时的自动刷新操作AR激活更大数目的字线。因此，当相继地执行自动刷新操作时，电流消耗不可避免地增加。

图2是说明常规第二半导体器件的操作的时序图。

参考图2，响应于单个外部刷新信号EXT_REF而执行三个自动刷新操作AR以及两个智能刷新操作SR+1和SR-1。在与单个外部刷新信号EXT_REF相对应的单元刷新时段期间，多个存储体BANK0/1、BANK2/3、BANK4/5和BANK6/7根据第一自动刷新操作AR而同时激活第1字线至第8字线，根据第一智能刷新操作SR+1而激活与第N字线相邻的第(N+1)字线，根据第二智能刷新操作SR-1而激活与第N字线相邻的第(N-1)字线，根据第二自动刷新操作AR而同时激活第9字线至第16字线，以及最后根据第三自动刷新操作AR而同时激活第17字线至第24字线。

换言之，在每个外部刷新信号EXT_REF的单元刷新时段期间，重复执行三个自动刷新操作AR以及两个智能刷新操作SR+1和SR-1。

即便当如上所述地操作第二半导体器件时，也可能出现上述问题。由于在每个单元刷新时段相继地执行第二自动刷新操作AR和第三自动刷新操作AR，因此电流消耗会不可避免地增加。

发明内容