[发明专利]立式单鼓常温大面积透明导电薄膜的气相沉积方法有效
申请号: | 201510431621.X | 申请日: | 2015-07-21 |
公开(公告)号: | CN105063568A | 公开(公告)日: | 2015-11-18 |
发明(设计)人: | 庄志杰;周钧;刘战合 | 申请(专利权)人: | 庄志杰;周钧;刘战合 |
主分类号: | C23C14/56 | 分类号: | C23C14/56 |
代理公司: | 江苏银创律师事务所 32242 | 代理人: | 王纪营 |
地址: | 200062 上海市普*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 立式 常温 大面积 透明 导电 薄膜 沉积 方法 | ||
1.一种立式单鼓常温大面积透明导电薄膜的气相沉积方法,其特征在于包括如下步骤:将真空系统的高真空度腔体的真空度抽到1~3×10-4pa,气相沉积时通入的工艺气体为氩气和氧气的混合气体;
所述气相沉积采用气相沉积设备系统实现,所述气相沉积设备系统包括薄膜真空沉积系统和自控卷绕系统;所述自控卷绕系统包括相连接的放料机构、立式单鼓机构和收料机构,所述薄膜真空沉积系统包括高真空度腔体;
将基体固定在自控卷绕系统的放料机构上,所述立式单鼓机构上设置有立式单鼓,所述高真空度腔体内,围绕着立式单鼓周围设置有多对立式中频平面的非平衡阴极;所用基体为多层复合卷绕柔性膜,经自动分开后,环绕立式单鼓,完成磁控溅射透明导电薄膜后,再重新复合卷绕;
薄膜沉积过程中,在混合气体氛围下,靶材到立式单鼓的距离为10~20cm;每对非平衡阴极上所施加的功率为10~12kw,施加在沉积靶材上的电流为25~30A;立式单鼓的表面温度为22~28℃;基体在自控卷绕系统上进行卷绕的速度为1~3m/s;通过所述低压等离子体气体放电,在基体上制得立式单鼓常温大面积透明导电薄膜。
2.根据权利要求1所述的立式单鼓常温大面积透明导电薄膜的气相沉积方法,其特征在于:所述自控卷绕系统包括卷绕机底座和自动控制机构,所述卷绕机底座上设置有多层分开的放料机构、自控张紧机构、同步卷绕机构、立式单鼓机构和收料机构;所述放料机构、自控张紧机构、同步卷绕机构、立式单鼓机构、收料机构均与自动控制机构相连接。
3.根据权利要求1所述的立式单鼓常温大面积透明导电薄膜的气相沉积方法,其特征在于:所述薄膜真空沉积系统包括两个分隔开的相互独立的低真空度腔体和高真空度腔体,所述低真空度腔体与高真空度腔体之间设置有高低真空隔板;所述高真空度腔体内围绕着立式单鼓周围均布了多对立式中频平面的非平衡阴极,每对非平衡阴极均设置有自隔气的整体式的封闭屏蔽罩和各自独立的供气机构;所述立式单鼓与温度控制系统相连接。
4.根据权利要求1所述的立式单鼓常温大面积透明导电薄膜的气相沉积方法,其特征在于:所述基体为多层复合卷绕柔性膜,多层复合卷绕柔性膜的材质为聚对苯二甲酸乙二醇酯PET、聚萘二甲酸乙二醇酯PEN或聚碳酸酯PC中的任意一种。
5.根据权利要求1所述的立式单鼓常温大面积透明导电薄膜的气相沉积方法,其特征在于:所述每对非平衡阴极上所施加的功率为12kw,施加在靶材上的电流为30A。
6.根据权利要求3所述的立式单鼓常温大面积透明导电薄膜的气相沉积方法,其特征在于:所述每对非平衡阴极上所施加的功率为10kw,施加在靶材上的电流为25A,所述非平衡阴极为七对。
7.根据权利要求1所述的立式单鼓常温大面积透明导电薄膜的气相沉积方法,其特征在于:所述氩气的流量为300sccm,氧气的流量为氩气流量的2%。
8.根据权利要求1所述的立式单鼓常温大面积透明导电薄膜的气相沉积方法,其特征在于:所述靶材到立式鼓的外表面距离为15cm。
9.根据权利要求1所述的立式单鼓常温大面积透明导电薄膜的气相沉积方法,其特征在于:所述放料机构为放料辊和放料及分开系统,所述收料机构为收料复合机构和收料辊;所述高真空度腔体和低真空度腔体内均设置有各自独立的相互分开的真空抽气系统;所述放料及分开系统、立式单鼓机构、同步卷绕机构、收料复合机构上均设置有各自独立的同步驱动系统。
10.根据权利要求1至9任一项所述的立式单鼓常温大面积透明导电薄膜的气相沉积方法,其特征在于:所述低真空度腔体设置有可沿着水平轨道开合的第一移动门,所述高真空度腔体装设有第二移动门;所述低真空腔体内设置有可视实时监控系统。
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