[发明专利]一种高品质因数微波介质陶瓷材料及其制备方法在审
申请号: | 201510431674.1 | 申请日: | 2015-07-21 |
公开(公告)号: | CN105036741A | 公开(公告)日: | 2015-11-11 |
发明(设计)人: | 李玲霞;叶静;孙浩;吕笑松;于经洋 | 申请(专利权)人: | 天津大学 |
主分类号: | C04B35/495 | 分类号: | C04B35/495;C04B35/622 |
代理公司: | 天津市北洋有限责任专利代理事务所 12201 | 代理人: | 张宏祥 |
地址: | 300072*** | 国省代码: | 天津;12 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 品质因数 微波 介质 陶瓷材料 及其 制备 方法 | ||
技术领域
本发明属于一种以成分为特征的陶瓷组合物,尤其涉及一种高品质因数微波介电陶瓷材料。
背景技术
近十几年微波通讯技术的发展,特别是地面移动通信、车载雷达、卫星直播电视、全球卫星定位系统等微波应用技术的迅速发展,频率高端化、集成化、小型化和低成本化已成为微波技术发展的必然趋势,而其中高频化是其发展的重点之一。例如:手机射频信号收发模块中用到具有高电流承载能力、高Q微波陶瓷电容器,无线局域网、卫星广播设备、医疗电子、导弹系统、飞机雷达等微波电路中,使用的频率越来越高,所以要求配套用的电子元器件具有高的品质因数。
近年来,由于优异的性能,AZrNb2O8体系的发展引起了广泛的关注,而在其上发展起来的ZnZrNb2O8系微波介质材料,在介电常数和品质因数上拥有良好的表现。为进一步提高体系的品质因数,本发明使用Sn4+离子对Zr4+离子进行取代,通过提高有序度和堆积密度等手段来改善材料的品质因数。
发明内容
本发明的目的,在于有效提高现有技术ZnZrNb2O8系微波介质材料的品质因数,提供一种新型高品质因数微波介质陶瓷材料及其制备方法。
本发明通过如下技术方案予以实现。
一种高品质因数微波介质陶瓷材料,目标合成物表达式为ZnZr0.8Sn0.2Nb2O8;
该高品质因数微波介质陶瓷材料的制备方法,具有如下步骤:
(1)将化学原料ZnO、ZrO2、SnO2和Nb2O5分别按ZnZr0.8Sn0.2Nb2O8化学计量比称量配料;
(2)将步骤(1)配置好的化学原料混合,放入球磨罐中,加入氧化锆球和去离子水,球磨4~8小时,将球磨后的原料放入干燥箱中烘干,过筛;
(3)将步骤(2)过筛后混合均匀的粉料于900℃预烧,保温2~6小时,合成前驱体;
(4)在步骤(3)的前驱体中添加质量百分数为1~2%聚乙烯醇,放入球磨罐中,加入氧化锆球和去离子水,球磨8~15小时,烘干后过筛,再用粉末压片机压力成型为坯体;
(5)将步骤(4)的坯体于1225℃~1325℃烧结,保温2~8小时,制成具有高品质因数的微波介质陶瓷材料;
(6)采用网络分析仪测试微波介质陶瓷材料的微波介电性能。
所述步骤(1)的化学原料ZnO、ZrO2、SnO2和Nb2O5的纯度大于99.9%。
所述步骤(2)采用行星式球磨机进行球磨,球磨机转速为400转/分。
所述步骤(4)的粉末压片机以2~4MPa的压力成型,坯体直径为10mm,厚度为5mm。
所述步骤(5)的烧结温度为1275℃。
本发明以ZnO,ZrO2,SnO2和Nb2O5为原料,通过简单固相法制备了一种新型的微波介质陶瓷材料ZnZr0.8Sn0.2Nb2O8,使用Sn4+离子对Zr4+离子进行取代,通过提高有序度和堆积密度等手段来改善材料的品质因数。其烧结温度为1225~1325℃,介电常数为26.30~27.37,Q×f为46,595~76,814GHz,谐振频率温度系数为-66.286~-55.093×10-6/℃。本发明工艺简单,过程无污染,具有广阔的应用前景。
具体实施方式
下面通过实施例对本发明作进一步描述。
本发明采用纯度大于99.9%的化学原料ZnO,、ZrO2,、SnO2和Nb2O5,通过传统固相法制备微波介质陶瓷。
实施例1
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于天津大学,未经天津大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201510431674.1/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。