[发明专利]一种类单晶晶体生长方法、类单晶硅锭以及类单晶电池在审
| 申请号： | 201510431714.2 | 申请日： | 2015-07-21 |
| 公开（公告）号： | CN105063742A | 公开（公告）日： | 2015-11-18 |
| 发明（设计）人： | 李剑 | 申请（专利权）人： | 李剑 |
| 主分类号： | C30B11/14 | 分类号： | C30B11/14;C30B29/06;H01L31/18 |
| 代理公司： | 北京纽乐康知识产权代理事务所(普通合伙) 11210 | 代理人： | 张朝元 |
| 地址： | 212200 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 种类 晶体生长 方法 单晶硅 以及 类单晶 电池 | ||
【权利要求书】：
1.一种类单晶晶体生长方法，其特征在于，包括：
将预先获取的单晶晶粒组合成的类单晶作为籽晶，其中，所述单晶晶粒具有特定的晶体生长面，并且所述晶体单晶晶粒生长面的边长、对角线或直径尺寸均在50um到3cm之间;
在所述籽晶基础上，通过定向凝固技术进行晶体生长，生长成类单晶。
2.根据权利要求1所述的类单晶晶体生长方法，其特征在于，所述籽晶的单晶晶粒表面的晶向包括<100>、<111>、<110>和<lmn>。
3.根据权利要求1所述的类单晶晶体生长方法，其特征在于，所述籽晶的单晶晶粒表面包括<100>、<111>、<110>和<1mn>的晶向在30度相位差内的不同晶向的晶粒组合。
4.根据权利要求1所述的类单晶晶体生长方法，其特征在于，所述籽晶内单个晶粒生长面的形状包括正方形，矩形，四边形，六边形和三角形。
5.一种类单晶硅锭和硅片，其特征在于，通过权利要求1-4任意一项所述的类单晶晶体生长方法所制备得到。
6.一种类单晶电池和组件，其特征在于，通过权利要求5所述的单晶硅锭所制备得到。
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