[发明专利]半导体装置及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置，其特征在于，具备：

支撑板；

半导体芯片，其经由粘接层以元件电路面朝上的方式搭载于上述支撑板的一个主面；

绝缘材料层，其封装上述半导体芯片及其周边；

开口，其在上述绝缘材料层中，形成于在上述半导体芯片的上述元件电路面配置的电极上；

导电部，其以与上述半导体芯片的上述电极连接的方式形成于上述开口内；

布线层，其以在上述绝缘材料层上与上述导电部连接的方式形成，并且一部分延伸至上述半导体芯片的周边区域；以及

外部电极，其形成于上述布线层上，

其中，

上述粘接层仅存在于支撑板的搭载半导体芯片的区域；

上述支撑板是在半导体装置的制造过程中使用的将多个平板层叠而成的复合支撑板之中的、搭载有上述半导体芯片的平板，是从构成上述复合支撑板的其他平板分离了的平板，上述支撑板的厚度为50μm以下，上述半导体装置没有翘曲。

2.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包括：

将多个平板层叠而制作复合支撑板的工序；

在构成上述复合支撑板的第1平板的主面，对齐配置多个半导体芯片，并通过粘接剂附着固定这些半导体芯片的与元件电路面相反侧的面的工序；

在上述半导体芯片的上述元件电路面上及上述第1平板的主面上形成绝缘材料层的工序；

在配置于上述半导体芯片的上述元件电路面的电极上的位置，在上述绝缘材料层形成开口的工序；

在上述绝缘材料层上形成一部分延伸至上述半导体芯片的周边区域的布线层，并且在上述绝缘材料层的上述开口内形成与上述半导体芯片的上述电极连接的导电部的工序；

在上述布线层上形成外部电极的工序；

通过在预定的位置切断上述第1平板及上述绝缘材料层，将包含一个或多个半导体芯片的半导体装置单片化的工序；以及

在上述的将包含一个或多个半导体芯片的半导体装置单片化的工序之前或之后，将构成上述复合支撑板的多个平板内的上述第1平板以外的平板从半导体装置分离的工序，

上述第1平板以外的平板是金属板，其厚度比第1平板的厚度厚。

3.权利要求2所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，上述复合支撑板是第1平板与第2平板通过粘接剂层叠而成的支撑板，通过除去粘接剂而将上述第1平板以外的平板从半导体装置分离。

4.权利要求3所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

上述第1平板与第2平板之间的粘接剂沿着用于将包含一个或多个半导体芯片的半导体装置单片化的切断线而设置，在将包含一个或多个半导体芯片的半导体装置单片化时，通过与上述第1平板及上述绝缘材料层一并切断上述第1平板与第2平板之间的粘接剂而将上述第1平板与第2平板分离。

5.权利要求4所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

在上述第2平板沿着上述切断线设置凹部，在上述凹部中设置粘接剂。

6.权利要求2所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

上述复合支撑板通过第1平板、第3平板和第2平板按照该顺序层叠而成，

上述第3平板的面积比上述第1平板及第2平板小，

上述第2平板与上述第3平板通过粘接剂粘接，

在上述第1平板与上述第3平板之间不存在粘接剂而直接接触，

上述第2平板的不存在上述第3平板的区域部分与上述第1平板的不存在上述第3平板的区域部分通过粘接剂粘接，

在将包含一个或多个半导体芯片的半导体装置单片化时，通过与上述第1平板及上述绝缘材料层一并切断上述第1平板、上述第3平板及第2平板层叠着的区域部分而将上述第1平板与第3平板及第2平板分离。

7.权利要求2所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

上述复合支撑板通过在第1平板与第2平板紧密附着的状态下在第1平板和第2平板的外周部分进行焊接而层叠形成，

在将包含一个或多个半导体芯片的半导体装置单片化时，通过切断除去上述第1平板与第2平板焊接起来的外周部分而将上述第1平板与第2平板分离。

8.权利要求3所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

上述复合支撑板其第1平板与第2平板通过具有粘接性的暂时固定膜附着固定，在将包含一个或多个半导体芯片的半导体装置单片化时，通过将上述第1平板从上述暂时固定膜分离而将上述第1平板与第2平板分离。