[发明专利]一种用于切割键合晶圆的接缝缺陷的切割方法在审
申请号: | 201510432187.7 | 申请日: | 2015-07-21 |
公开(公告)号: | CN105161410A | 公开(公告)日: | 2015-12-16 |
发明(设计)人: | 陈俊;胡胜 | 申请(专利权)人: | 武汉新芯集成电路制造有限公司 |
主分类号: | H01L21/304 | 分类号: | H01L21/304 |
代理公司: | 北京轻创知识产权代理有限公司 11212 | 代理人: | 陈薇 |
地址: | 430205 湖北*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 用于 切割 键合晶圆 接缝 缺陷 方法 | ||
1.一种用于切割键合晶圆的接缝缺陷的切割方法,包括以下步骤:
(1)提供承载晶圆和器件晶圆,所述器件晶圆放置于所述承载晶圆之上,所述器件晶圆和所述承载晶圆键合形成键合晶圆;所述器件晶圆与所述承载晶圆的接触面上形成接缝缺陷,所述接缝缺陷位于所述器件晶圆的边缘;
(2)提供划刀片,所述划刀片具有圆周面,所述圆周面上设置有切削刃;
(3)旋转所述划刀片,以所述划刀片圆周面上的切削刃对所述键合晶圆的边缘进行切削,直至切割掉所述接缝缺陷。
2.根据权利要求1所述的切割方法,其特征在于:所述划刀片为圆柱形,所述圆柱形划刀片的圆周面上设置有切削刃。
3.根据权利要求2所述的切割方法,其特征在于:所述圆柱形划刀片的圆形端面上设置有切削刃。
4.根据权利要求1~3任一所述的切割方法,其特征在于:所述划刀片在所述接缝缺陷处的切割形状为圆弧形,且所述圆弧形切割面的切割宽度L为1.9~2.5mm,切割深度D为15~35um。
5.根据权利要求4所述的切割方法,其特征在于:所述圆弧形切割面的切割宽度L为2.2mm,切割深度D为25um。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造