[发明专利]一种用于切割键合晶圆的接缝缺陷的切割方法在审

专利信息
申请号: 201510432187.7 申请日: 2015-07-21
公开(公告)号: CN105161410A 公开(公告)日: 2015-12-16
发明(设计)人: 陈俊;胡胜 申请(专利权)人: 武汉新芯集成电路制造有限公司
主分类号: H01L21/304 分类号: H01L21/304
代理公司: 北京轻创知识产权代理有限公司 11212 代理人: 陈薇
地址: 430205 湖北*** 国省代码: 湖北;42
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摘要:
搜索关键词: 一种 用于 切割 键合晶圆 接缝 缺陷 方法
【权利要求书】:

1.一种用于切割键合晶圆的接缝缺陷的切割方法,包括以下步骤:

(1)提供承载晶圆和器件晶圆,所述器件晶圆放置于所述承载晶圆之上,所述器件晶圆和所述承载晶圆键合形成键合晶圆;所述器件晶圆与所述承载晶圆的接触面上形成接缝缺陷,所述接缝缺陷位于所述器件晶圆的边缘;

(2)提供划刀片,所述划刀片具有圆周面,所述圆周面上设置有切削刃;

(3)旋转所述划刀片,以所述划刀片圆周面上的切削刃对所述键合晶圆的边缘进行切削,直至切割掉所述接缝缺陷。

2.根据权利要求1所述的切割方法,其特征在于:所述划刀片为圆柱形,所述圆柱形划刀片的圆周面上设置有切削刃。

3.根据权利要求2所述的切割方法,其特征在于:所述圆柱形划刀片的圆形端面上设置有切削刃。

4.根据权利要求1~3任一所述的切割方法,其特征在于:所述划刀片在所述接缝缺陷处的切割形状为圆弧形,且所述圆弧形切割面的切割宽度L为1.9~2.5mm,切割深度D为15~35um。

5.根据权利要求4所述的切割方法,其特征在于:所述圆弧形切割面的切割宽度L为2.2mm,切割深度D为25um。

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