[发明专利]利用微结构实现大功率半导体激光器慢轴模式控制方法有效
| 申请号： | 201510433104.6 | 申请日： | 2015-07-22 |
| 公开（公告）号： | CN104993373B | 公开（公告）日： | 2019-04-23 |
| 发明（设计）人： | 赵润;张晓光 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第十三研究所 |
| 主分类号： | H01S5/06 | 分类号： | H01S5/06;H01S5/065;H01S5/068 |
| 代理公司： | 石家庄国为知识产权事务所 13120 | 代理人： | 米文智 |
| 地址： | 050051 *** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 利用 微结构 实现 大功率 半导体激光器 模式 控制 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种利用微结构实现大功率半导体激光器慢轴模式控制方法，其特征在于所述方法如下：将半导体激光器芯片(1)的注入电极(2)分成若干个矩形微元(3)，定义每个矩形微元(3)为电流注入区还是非电流注入区以及电流注入区的导电特性；通过离子注入、介质掩蔽控制各矩形微元的电流注入或不注入；
对所有的矩形微元，在纵向分布上，由激光器的后腔面到前腔面逐渐增加非电流注入区数量；在横向分布上，在光场强的地方设计为非电流注入区或者导电特性差的电流注入区，在光场弱的地方设计为导电性好的电流注入区。
2.根据权利要求1所述的利用微结构实现大功率半导体激光器慢轴模式控制方法，其特征在于：根据半导体激光器芯片(1)的电流场、光场以及热场间的耦合关系，设计每个矩形微元(3)为电流注入区还是非电流注入区以及电流注入区的导电特性。
3.根据权利要求1所述的利用微结构实现大功率半导体激光器慢轴模式控制方法，其特征在于：所述矩形微元(3)的长度和宽度为1微米-5微米。
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