[发明专利]一种三电平逆变器

权利要求书

1.一种三电平逆变器，其特征在于，包括：

第一直流源；

第二直流源，其正极与所述第一直流源的负极连接作为第一节点；

第一开关管，所述第一开关管为高速IGBT，其集电极与所述第一直流源的正极连接作为第二节点；

第二开关管，所述第二开关管为低速IGBT，其集电极与所述第一开关管的发射极连接作为第三节点；

第三开关管，所述第三开关管为低速IGBT，其集电极与所述第二开关管的发射极连接作为第四节点；

第四开关管，所述第四开关管为高速IGBT，其集电极与所述第三开关管的发射极连接作为第五节点，其发射极与所述第二直流源的负极连接作为第六节点；

第五开关管，所述第五开关管为低速IGBT，其集电极连接于所述第三节点，其发射极连接于所述第一节点；

第六开关管，所述第六开关管为低速IGBT，其集电极连接于所述第一节点，其发射极连接于所述第五节点；所述高速IGBT的开关特性参数不同于所述低速IGBT的开关特性参数；

第一二极管，其阴极连接于所述第一开关管的集电极，其阳极连接于所述第一开关管的发射极；

第二二极管，其阴极连接于所述第二开关管的集电极，其阳极连接于所述第二开关管的发射极；

第三二极管，其阴极连接于所述第三开关管的集电极，其阳极连接于所述第三开关管的发射极；

第四二极管，其阴极连接于所述第四开关管的集电极，其阳极连接于所述第四开关管的发射极；

第五二极管，其阴极连接于所述第五开关管的集电极，其阳极连接于所述第五开关管的发射极；

第六二极管，其阴极连接于所述第六开关管的集电极，其阳极连接于所述第六开关管的发射极。

2.根据权利要求1所述的三电平逆变器，其特征在于，所述开关特性参数包括关断损耗、开通损耗、关断时间以及开通时间。

3.根据权利要求2所述的三电平逆变器，其特征在于，所述高速IGBT的关断损耗小于所述低速IGBT的关断损耗和/或高速IGBT的开通损耗小于所述低速IGBT的开通损耗和/或高速IGBT的关断时间小于所述低速IGBT的关断时间和/或高速IGBT的开通时间小于所述低速IGBT的开通时间。

4.根据权利要求2所述的三电平逆变器，其特征在于，所述高速IGBT的关断损耗小于所述低速IGBT的关断损耗和高速IGBT的开通损耗大于所述低速IGBT的开通损耗。

5.一种三电平逆变器，其特征在于，包括：

第一直流源；

第二直流源，其正极与所述第一直流源的负极连接作为第一节点；

第一开关管，所述第一开关管为MOSFET，其集电极与所述第一直流源的正极连接作为第二节点；

第二开关管，所述第二开关管为IGBT，其集电极与所述第一开关管的发射极连接作为第三节点；

第三开关管，所述第三开关管为IGBT，其集电极与所述第二开关管的发射极连接作为第四节点；

第四开关管，所述第四开关管为MOSFET，其集电极与所述第三开关管的发射极连接作为第五节点，其发射极与所述第二直流源的负极连接作为第六节点；

第五开关管，所述第五开关管为IGBT，其集电极连接于所述第三节点，其发射极连接于所述第一节点；

第六开关管，所述第六开关管为IGBT，其集电极连接于所述第一节点，其发射极连接于所述第五节点；

第一二极管，其阴极连接于所述第二节点，其阳极连接于所述第四节点；

第二二极管，其阴极连接于所述第四节点，其阳极连接于所述第六节点；

第三二极管，其阴极连接于所述第一开关管的集电极，其阳极连接于所述第一开关管的发射极；

第四二极管，其阴极连接于所述第二开关管的集电极，其阳极连接于所述第二开关管的发射极；

第五二极管，其阴极连接于所述第三开关管的集电极，其阳极连接于所述第三开关管的发射极；

第六二极管，其阴极连接于所述第四开关管的集电极，其阳极连接于所述第四开关管的发射极；

第七二极管，其阴极连接于所述第五开关管的集电极，其阳极连接于所述第五开关管的发射极；

第八二极管，其阴极连接于所述第六开关管的集电极，其阳极连接于所述第六开关管的发射极。