[发明专利]抑制内部空间电荷的交联聚乙烯复合材料及其制备方法和应用有效
| 申请号： | 201510434288.8 | 申请日： | 2015-07-22 |
| 公开（公告）号： | CN104927175B | 公开（公告）日： | 2017-04-05 |
| 发明（设计）人： | 王有元;王灿;陈伟根;李剑;杜林;周湶;王飞鹏 | 申请（专利权）人： | 重庆大学 |
| 主分类号： | C08L23/06 | 分类号： | C08L23/06;C08K5/14;C08K3/34;B29C35/02;C08J3/24;H01B3/44 |
| 代理公司： | 北京同恒源知识产权代理有限公司11275 | 代理人： | 赵荣之 |
| 地址： | 400044 重*** | 国省代码： | 重庆;85 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 抑制 内部空间 电荷 交联 聚乙烯 复合材料 及其 制备 方法 应用 | ||
1.抑制内部空间电荷的交联聚乙烯复合材料，其特征在于，由低密度聚乙烯和SiC纳米粒子在交联剂的辅助下复合而成；所述SiC纳米粒子含量为1～5wt％；所述聚合物基体为低密度聚乙烯，密度分布为0.910～0.925mg/cm3，融化指数为2.1～2.2g/10min，熔点为105℃～112℃。
2.如权利要求1所述的交联聚乙烯复合材料，其特征在于，所述SiC纳米粒子粒径为30nm～40nm。
3.如权利要求1所述的交联聚乙烯复合材料，其特征在于，所述SiC纳米粒子含量范围3wt％。
4.如权利要求1～3任一项所述的交联聚乙烯复合材料，其特征在于，所述交联剂为过氧化二异丙苯。
5.如权利要求1～3任一项所述的交联聚乙烯复合材料，其特征在于，所述交联剂含量为2wt％。
6.权利要求1～5任一项所述的交联聚乙烯复合材料的制备方法，其特征在于，首先将配比量的SiC纳米粒子进行干燥，然后将干燥后的SiC纳米粒子与低密度聚乙烯基料混合均匀并于116℃条件下进行机械共混，再加入交联剂，共混后切割成颗粒状，并将颗粒状材料压制成薄膜，真空干燥条件下脱气处理1h。
7.如权利要求6所述的交联聚乙烯复合材料的制备方法，其特征在于，将颗粒状材料压制成薄膜时平板硫化机温度为180℃，压力为10MPa，压制时间为15min，薄膜厚度约为190μm。
8.如权利要求6所述的交联聚乙烯复合材料的制备方法，其特征在于，脱气处理时真空干燥温度为80℃。
9.权利要求1～5任一项所述的交联聚乙烯复合材料在制备绝缘材料中的应用。
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