[发明专利]阵列基板及其制作方法、显示面板和显示装置

说明书

技术领域

本发明涉及显示技术领域，具体而言，涉及一种阵列基板制作方法、一种阵列基板、一种显示面板和一种显示装置。

背景技术

现有技术在制作薄膜晶体管的工艺中，先在栅绝缘层之上形成半导体层，然后对半导体层进行蚀刻，保留沟道区的半导体层作为有源层，再制作源极和漏极与有源层搭接。

其中对半导体层蚀刻的工艺会对保留的半导体层(即有源层)造成损伤，即使在半导体层上形成蚀刻阻挡层，也无法完全避免蚀刻对保留的半导体造成损伤。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是，避免在制作薄膜晶体管的工艺中对有源层造成损伤。

为此目的，本发明提出了一种阵列基板制作方法，包括：

在栅绝缘层之上形成源极和漏极；

在所述栅绝缘层和源极与漏极之上形成光刻胶；

对所述光刻胶进行蚀刻形成沟道区，以露出所述源极和漏极之间的栅绝缘层，以及部分源极和部分漏极；

在所述沟道区形成有源层，以覆盖漏出的栅绝缘层、所述部分源极和所述部分漏极。

优选地，在所述沟道区形成有源层包括：

将半导体材料溶液涂在所述沟道区以形成所述有源层，

其中，所述光刻胶的表面能与所述栅绝缘层的表面能之差大于预设值。

优选地，在沟道区形成有源层包括：

通过喷墨打印、丝网印刷、刮涂、旋涂的溶液加工方式将半导体材料溶液涂在所述沟道区以形成所述有源层。

优选地，所述沟道区的长宽比为10:1至50:1。

优选地，通过喷墨打印的溶液加工方式将半导体材料溶液涂在所述沟道区以形成所述有源层，则所述沟道区的宽度为5μm至50μm。

优选地，通过丝网印刷、刮涂或旋涂的溶液加工方式将半导体材料溶液涂在所述沟道区以形成所述有源层，则所述沟道区的宽度为30μm至100μm。

优选地，在通过刮涂和/或旋涂的溶液加工方式将半导体材料溶液涂在所述沟道区以形成所述有源层之后还包括：

去除所述沟道区以外的半导体材料。

优选地，对所述光刻胶进行蚀刻形成沟道区包括：

通过干法蚀刻或湿法蚀刻对所述光刻胶进行蚀刻。

优选地，所述光刻胶为含氟光刻胶。

优选地，所述沟道区的长宽比为10:1至50:1。

优选地，在所述沟道区形成有源层还包括：

通过控制对所述有源层的退火时间和退火温度，设置所述有源层的结构参数。

优选地，还包括：

去除所述沟道区以外的光刻胶。

本发明还提出了一种阵列基板，包括：

栅绝缘层；

源极和漏极，设置在所述栅绝缘层之上；

有源层，设置在预设沟道区，覆盖部分所述源极和部分所述漏极以及所述源极和所述漏极之间的栅绝缘层。

优选地，所述预设沟道区长宽比为10:1至50:1。

优选地，所述预设沟道区的宽度为5μm至50μm，或30μm至100μm。

优选地，还包括：

钝化层，设置在所述有源层之上，

其中，所述钝化层中设置有过孔；

像素电极，设置在所述钝化层之上，通过所述过孔与所述漏极电连接。

本发明还提出了一种显示面板，包括上述任一项所述的阵列基板。

本发明还提出了一种显示装置，包括上述显示面板。

通过上述技术方案，可以先形成源极和漏极，然后通过光刻胶形成沟道区，进而在沟道区直接形成有源层，无需对形成有源层的半导体材料进行蚀刻，从而避免对有源层造成损伤。

附图说明

通过参考附图会更加清楚的理解本发明的特征和优点，附图是示意性的而不应理解为对本发明进行任何限制，在附图中：

图1示出了根据本发明一个实施例的阵列基板制作方法的示意流程图；

图2至图6示出了根据本发明一个实施例的阵列基板制作方法的具体流程图；

图7示出了根据本发明一个实施例的阵列基板的结构示意图。

附图标号说明：

1-栅绝缘层；2-源极；3-漏极；4-有源层；5-光刻胶；6-钝化层；7-像素电极；8-基底；9-栅极。

具体实施方式

为了能够更清楚地理解本发明的上述目的、特征和优点，下面结合附图和具体实施方式对本发明进行进一步的详细描述。需要说明的是，在不冲突的情况下，本申请的实施例及实施例中的特征可以相互组合。