[发明专利]一种定向输出的圆环微腔激光器有效

专利信息
申请号: 201510435083.1 申请日: 2015-07-22
公开(公告)号: CN104979751B 公开(公告)日: 2018-09-11
发明(设计)人: 金鑫;黄永箴;杨跃德;肖金龙 申请(专利权)人: 中国科学院半导体研究所
主分类号: H01S5/10 分类号: H01S5/10;H01S5/06
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 宋焰琴
地址: 100083 *** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 一种 定向 输出 圆环 激光器
【权利要求书】:

1.一种定向输出的圆环微腔激光器,其特征在于,包括:圆环形微腔谐振腔,所述圆环形微腔谐振腔的部分内壁上刻蚀分布有光栅结构,其中:

所述光栅结构的角向周期大小与所述定向输出模式的角向量子数满足下式:

α=360/(v+n);

所述光栅结构的光栅数目与所述定向输出模式的角向量子数满足下式:

Ng=(v+n)/m;

其中,α为所述光栅结构的角向周期大小,Ng为光栅结构的角向周期大小,v为定向输出模式的角向量子数,n的取值范围在1-10之间,m的取值范围在3-9之间。

2.根据权利要求1所述的一种定向输出的圆环微腔激光器,其中,所述光栅结构垂直分布于所述圆环形微腔谐振腔内壁。

3.根据权利要求1所述的一种定向输出的圆环微腔激光器,其中,所述圆环形微腔谐振腔与所述光栅结构具有相同的结构和材料,且所述圆环形微腔谐振腔和所述光栅结构包括上限制层、有源区和下限制层。

4.根据权利要求1所述的一种定向输出的圆环微腔激光器,其中,所述圆环形微腔谐振腔和光栅结构的材料包括各种IV族半导体材料和其化合物以及III-V、II-VI族化合物和有机半导体材料;所述圆环形微环谐振腔的有源区的结构包括半导体体材料结构、量子阱、量子线、量子点及量子级联结构。

5.根据权利要求1所述的一种定向输出的圆环微腔激光器,其中,所述光栅结构的刻蚀深度在0.02μm-1.2μm之间,所述圆环形微腔谐振腔环宽在0.6μm-1.5μm之间。

6.根据权利要求1所述的一种定向输出的圆环微腔激光器,其中,所述光栅结构的每对光栅的凸起和凹槽所占的宽度相同。

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