[发明专利]透明导电性薄膜及其制造方法

权利要求书

1.一种透明导电性薄膜，其具备：挠性透明基材、和在80℃～180℃的基板温度下通过溅射法形成于挠性透明基材上的由结晶性的铟·锡复合氧化物构成的透明导电层，

所述挠性透明基材含有包含聚酯系树脂的透明基体薄膜，

且所述透明导电层的结晶化温度为160～210℃，所述透明导电层的压缩残余应力为0.4～2GPa。

2.根据权利要求1所述的透明导电性薄膜，其中，所述透明导电层是通过加热被结晶化了的层，面内的至少一个方向的相对于结晶化前的尺寸变化为-0.3%～-1.5%。

3.一种透明导电性薄膜的制造方法，其是具有挠性透明基材和形成于挠性透明基材上的由结晶性的铟·锡复合氧化物构成的透明导电层的透明导电性薄膜的制造方法，其特征在于，

具有如下工序：

准备挠性透明基材的基材准备工序，所述挠性透明基材含有包含聚酯系树脂的透明基体薄膜；

在80℃～180℃的基板温度下在挠性透明基材上通过溅射法形成由非晶质的铟·锡复合氧化物构成的非晶质透明导电层的制膜工序；及

在160～210℃的结晶化温度下对所述非晶质透明导电层进行加热而转化为结晶性的铟·锡复合氧化物的热处理工序；

在所述热处理工序中，在至少面内的一个方向上，透明导电层被赋予压缩应力。

4.根据权利要求3所述的透明导电性薄膜的制造方法，其中，在所述热处理工序中，对透明导电层进行压缩以使其面内的至少一个方向的尺寸变化为-0.3%～-1.5%。

5.根据权利要求3所述的透明导电性薄膜的制造方法，其特征在于，通过赋予所述压缩应力，使结晶性透明导电层的压缩残余应力为0.4～2GPa。

6.根据权利要求3所述的透明导电性薄膜的制造方法，其中，所述热处理工序中加热时间为150分钟以下。