[发明专利]通过优化电荷释放步骤工艺条件改善球状缺陷的方法

说明书

本发明提供了一种通过优化电荷释放步骤工艺条件改善球状缺陷的方法，包括：通过静电吸附盘实现对晶圆的固定；对经静电吸附盘固定的晶圆执行刻蚀工艺；执行电荷释放步骤工艺以便对刻蚀后的晶圆的正面及背面进行电荷释放；其中，在电荷释放步骤工艺中，朝向晶圆正面和/或晶圆背面导入稀有气体作为晶圆正面和/或晶圆背面上的残留电荷的载体；使得晶圆从所述静电吸附盘抬起。

技术领域

本发明涉及半导体制造领域，更具体地说，本发明涉及一种通过优化电荷释放步骤工艺条件改善球状缺陷的方法。

背景技术

集成电路制造刻蚀主流工艺中是通过静电吸附盘(ESC)在晶圆背面感应相反电荷，从而在晶背与静电吸附盘之间建立直流电场，利用正负电荷的吸附作用实现对晶圆的固定，在整个刻蚀工艺完成后需要独立工艺步骤来实现对晶圆正面及背面电荷的释放。

在顶层氧化膜刻蚀工艺中，为获得高刻蚀速率采用大功率工艺，等离子浓度及电场强度高，刻蚀工艺完成后腔体中及晶圆表面残留电荷数量多；同时，由于氧化膜层的绝缘特性造成刻蚀后残留电荷很难被有效释放，当前的静电释放步骤工艺采用不带等离子体情况下静置的方式进行电荷释放，电荷释放能力不足，晶圆表面容易存在局部静电残留。这种残留的静电在后续的湿法工艺中容易吸附化学药液中的成分形成球状缺陷(如图1所示)，影响产品品质。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是针对现有技术中存在上述缺陷，提供一种通过优化电荷释放步骤工艺条件改善球状缺陷的方法，其能够通过优化静电释放工艺步骤，增加大流量的氩气以及小量的背面氦气，帮助电荷释放，提高静电释放能力，从而有效避免在湿法工艺后形成球状缺陷，有效地提高产品良率。

为了实现上述技术目的，根据本发明，提供了一种通过优化电荷释放步骤工艺条件改善球状缺陷的方法，包括：

第一步骤：用于通过静电吸附盘实现对晶圆的固定；

第二步骤：用于对经静电吸附盘固定的晶圆执行刻蚀工艺；

第三步骤：用于执行电荷释放步骤工艺以便对刻蚀后的晶圆的正面及背面进行电荷释放；其中，在电荷释放步骤工艺中，朝向晶圆正面和/或晶圆背面导入稀有气体作为晶圆正面和/或晶圆背面上的残留电荷的载体；

第四步骤：用于使得晶圆从所述静电吸附盘抬起。

优选地，在电荷释放步骤工艺中，朝向晶圆正面导入氩气，使氩气作为运输晶圆正面上的残留电荷的载体。

优选地，在电荷释放步骤工艺中，朝向晶圆背面中心部分及晶圆背面边缘部分同时导入一定的氦气。

优选地，氩气流量大于氦气流量。

优选地，氩气流量为300-1000sccm。

优选地，氩气流量为400sccm。

优选地，朝向晶圆背面中心部分及晶圆背面边缘部分导入的氦气的氦气流量相同。

优选地，氦气流量为1torr-5torr。

优选地，氦气流量为1torr。

由此，本发明提供了一种通过优化电荷释放步骤工艺条件改善球状缺陷的方法，其能够通过优化静电释放工艺步骤，增加大流量的氩气以及小量的背面氦气，帮助电荷释放，提高静电释放能力，从而有效避免在湿法工艺后形成球状缺陷，有效地提高产品良率。

附图说明

结合附图，并通过参考下面的详细描述，将会更容易地对本发明有更完整的理解并且更容易地理解其伴随的优点和特征，其中：

图1示意性地示出了根据现有技术的球状缺陷的显微图像。