[发明专利]用于提高衬底载体的性能的方法

权利要求书

1.一种衬底载体，包括支撑一个或多个衬底的底面的凹口，通过下述方式修改所述凹口的局部化区域的至少一个物理性质：首先把沉积在所述一个或多个衬底的上表面的层的测量参数与所述凹口的所述至少一个物理性质相关联，所述一个或多个衬底的上表面与所述一个或多个衬底的底面相对；然后，响应于所述测量参数而修改所述凹口的局部化区域的至少一个物理性质。

2.根据权利要求1所述的衬底载体，其中所述衬底载体由石墨、SiC、金属和陶瓷材料中的至少一种形成。

3.根据权利要求1所述的衬底载体，其中所述衬底由半导体、金属和绝缘体材料中的至少一种形成。

4.根据权利要求1所述的衬底载体，其中使在所述衬底上沉积的层的测量参数与所述凹口的物理性质关联包括使用数学模型。

5.根据权利要求1所述的衬底载体，其中使在所述衬底上沉积的层的测量参数与所述凹口的物理性质关联包括与经验数据关联。

6.根据权利要求1所述的衬底载体，其中凹口的物理性质包括衬底载体的局部深度。

7.根据权利要求1所述的衬底载体，其中所述凹口的物理性质包括所述衬底载体的局部热导率。

8.根据权利要求1所述的衬底载体，其中所述凹口的物理性质包括衬底载体的局部发射率。

9.根据权利要求1所述的衬底载体，其中所述凹口的物理性质包括衬底载体的局部机械特性。

10.根据权利要求1所述的衬底载体，其中所述测量参数包括性能指标。

11.根据权利要求1所述的衬底载体，其中所述测量参数选自由以下参数构成的组：在衬底上沉积的层的光学参数、在衬底上沉积的层的电学参数以及在衬底上沉积的层的电光参数。

12.根据权利要求1所述的衬底载体，其中关联所述测量参数包括使特定位置中的沉积的层的发射波长与所述凹口的对应局部区域关联。

13.根据权利要求1所述的衬底载体，其中修改凹口的局部化区域包括从局部化区域中去除材料。

14.根据权利要求13所述的衬底载体，其中材料在离散的局部化区域中被去除。

15.根据权利要求13所述的衬底载体，其中材料被去除以形成连续的等值线。

16.根据权利要求13所述的衬底载体，其中通过加工、激光烧蚀、化学蚀刻和静电放电中的至少一种从所述凹口的局部化区域去除材料。

17.根据权利要求1所述的衬底载体，其中修改凹口的局部化区域包括向衬底载体添加材料。

18.根据权利要求1所述的衬底载体，其中修改凹口的局部化区域包括在衬底载体的局部区域中改变热导率。

19.根据权利要求18所述的衬底载体，其中通过将材料插入局部区域中而在局部化区域中改变热导率。

20.根据权利要求18所述的衬底载体，其中通过在局部区域处执行材料处理而在局部化区域中改变热导率。

21.根据权利要求1所述的衬底载体，其中修改凹口的局部化区域包括在衬底载体的局部区域中改变发射率。

22.根据权利要求1所述的衬底载体，其中修改凹口的局部化区域包括在衬底载体的局部区域中改变局部机械特性。

23.根据权利要求1所述的衬底载体，其中所述凹口具有预定的深度等值线。

24.根据权利要求1所述的衬底载体，其中所述凹口具有预定的热等值线。

25.根据权利要求1所述的衬底载体，其中沉积的层包括通过气相外延制造多量子阱结构。

26.根据权利要求1所述的衬底载体，其中测量参数包括光学强度。

27.根据权利要求1所述的衬底载体，其中测量参数包括光学发射波长。