[发明专利]高纯度镧的制造方法、高纯度镧、包含高纯度镧的溅射靶和以高纯度镧为主要成分的金属栅膜在审
| 申请号： | 201510437044.5 | 申请日： | 2012-01-17 |
| 公开（公告）号： | CN105087966A | 公开（公告）日： | 2015-11-25 |
| 发明（设计）人： | 高畑雅博;佐藤和幸;成田里安;乡原毅 | 申请（专利权）人： | 吉坤日矿日石金属株式会社 |
| 主分类号： | C22B59/00 | 分类号： | C22B59/00;C22B9/22;C23C14/34;H01L21/28;H01L21/285;H01L29/40;C22C28/00;C01F17/00 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 王海川;穆德骏 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 纯度 制造 方法 包含 溅射 主要成分 金属 | ||
1.一种高纯度镧，其特征在于，除稀土元素和气体成分以外的纯度为5N以上，且作为杂质的Al、Fe和Cu分别为1重量ppm以下，气体成分的总量为1000重量ppm以下，氧浓度为500重量ppm以下，作为杂质的Pb的含量为0.1重量ppm以下，作为杂质的Bi的含量为0.01重量ppm以下，作为杂质的U和Th分别为1ppb以下。
2.如权利要求1所述的高纯度镧，其特征在于，作为杂质的W、Mo和Ta的总量为10重量ppm以下。
3.一种高纯度镧，其特征在于，除稀土元素和气体成分以外的纯度为5N以上，且α射线计数为0.001cph/cm2以下。
4.如权利要求1或2所述的高纯度镧，其特征在于，除稀土元素和气体成分以外的纯度为5N以上，且α射线计数为0.001cph/cm2以下。
5.一种高纯度镧，其为由除气体成分以外的纯度为4N以上的氟化镧得到的高纯度镧，其特征在于，除气体成分以外的纯度为4N5以上，C为200重量ppm以下，Al和Fe分别为5重量ppm以下，Cu为1重量ppm以下。
6.如权利要求5所述的高纯度镧，其特征在于，W、Mo和Ta的总量为1～10重量ppm。
7.一种溅射靶，其包含权利要求1～6中任一项所述的高纯度镧。
8.一种金属栅膜，其通过使用权利要求7的溅射靶进行成膜而得到。
9.一种半导体元件和器件，其具备权利要求8所述的金属栅膜。
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