[发明专利]一种二维纳米SnSe2晶体材料的制备方法

权利要求书

1.一种二维纳米SnSe₂晶体材料的制备方法，其特征在于，反应区域在水平方向分为上游低温区、中心温区以及下游低温区；通过控制中心温区的温度，以及利用中心温区与上下游低温区的温差，使硒源和锡源蒸汽形成于上游低温区，并通过载气先带入中心温区反应生成SnSe₂，再带入下游低温区在衬底上沉积成为厚度为3～10个原子层的二维纳米SnSe₂晶体材料；

所述硒源和锡源分别为单质硒和卤化锡，分别独立放置于上游低温区；所述载气由体积比为10％～30％的 H₂以及体积比为70％～90％的惰性气体或 N₂组成。

2.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述中心温区的反应温度为500℃～800℃，SnSe₂在衬底上的沉积温度为250℃～420℃。

3.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，反应区域内的压强小于等于一个大气压。

4.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述载气中H₂的体积比为20％。

5.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述载气的流量为20sccm～200sccm。

6.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述衬底为云母、绝缘硅、蓝宝石或石英片。

7.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，反应前先将反应区域预抽真空，然后充入惰性气体、N₂或载气，反复洗气直至排净空气。

8.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述单质硒为硒粉。

9.以权利要求1-8中任意一项所述方法制备的二维纳米SnSe₂晶体材料，其特征在于，厚度为3～10个原子层。