[发明专利]多阶交替嵌套递归镂空环超宽带天线

权利要求书

1.多阶交替嵌套递归镂空环超宽带天线，其特征在于设有介质基板，介质基板上下表面分别敷有良导体层，上表面良导体层设有一个采用矩形微带馈线馈电的多阶交替嵌套递归镂空环的辐射贴片，所述多阶交替嵌套递归的基本结构轮廓为方形及圆形；所述多阶交替嵌套递归镂空环是在正方形辐射贴片内部开圆形槽构成镂空环结构，依次在圆形槽内部开下一阶方形及圆形交替嵌套结构形成递归镂空环结构；所述下表面良导体层设有左右对称宽度渐变的多阶阶梯形渐变电磁耦合地板。

2.如权利要求1所述多阶交替嵌套递归镂空环超宽带天线，其特征在于所述介质基板采用陶瓷基板或环氧复合基板；所述良导体可采用铜或银，介质基板的相对介电常数可为2～8。

3.如权利要求1所述多阶交替嵌套递归镂空环超宽带天线，其特征在于所述介质基板采用矩形介质基板，矩形介质基板的长度为28～32mm，宽度为26～30mm，厚度为1～2.5mm。

4.如权利要求1所述多阶交替嵌套递归镂空环超宽带天线，其特征在于所述上表面良导体层是设有一个采用矩形微带馈线馈电的多阶交替嵌套递归镂空环的辐射贴片，所述矩形微带馈线的长度可为11～16mm，宽度可为2～4mm。

5.如权利要求1所述多阶交替嵌套递归镂空环超宽带天线，其特征在于所述上表面良导体层设有一个采用矩形微带馈线馈电的多阶交替嵌套递归镂空环的辐射贴片；所述多阶交替嵌套递归镂空环是在正方形辐射贴片内部开圆形槽构成镂空环结构，正方形辐射贴片的边长为11～16mm，圆形槽半径为3～8mm，依次在圆形槽内部开下一阶方形及圆形交替嵌套结构形成递归镂空环结构，递归比率为(2～2.4)∶1。

6.如权利要求1所述多阶交替嵌套递归镂空环超宽带天线，其特征在于所述多阶交替嵌套递归镂空环是在圆形槽内部开下一阶方形及圆形交替嵌套结构形成递归镂空环结构，交替嵌套阶数可为2～5。

7.如权利要求1所述多阶交替嵌套递归镂空环超宽带天线，其特征在于所述下表面良导体层设有左右对称宽度渐变的多阶阶梯形渐变电磁耦合地板，阶梯起始处的高为10～14mm，相邻阶梯宽度渐变值为1～4mm，每阶阶梯高为0.2～0.8mm。

8.如权利要求1或7所述多阶交替嵌套递归镂空环超宽带天线，其特征在于所述多阶阶梯形渐变电磁耦合地板的阶数为1～10。