[发明专利]三维集成电路的制造方法有效
| 申请号： | 201510438514.X | 申请日： | 2012-06-08 |
| 公开（公告）号： | CN105118810B | 公开（公告）日： | 2019-08-02 |
| 发明（设计）人： | 林俊成;吴文进;施应庆;洪瑞斌;卢思维;郑心圃;余振华 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/31 | 分类号： | H01L23/31;H01L23/52;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 三维集成电路 制造 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种三维集成电路结构，包括：
多个半导体管芯，接合在管芯的第一面上方；以及
模塑料层，形成在所述管芯的所述第一面上方，其中，将所述多个半导体管芯的一部分内嵌在所述模塑料层中，并且其中，所述模塑料层暴露出所述多个半导体管芯的剩余部分的外表面；
保护材料，仅形成在所述模塑料层的边缘和所述管芯的边缘之间；
其中，所述多个半导体管芯包括第一半导体管芯和第二半导体管芯，所述第一半导体管芯的顶面从所述模塑料层暴露，而所述第二半导体管芯的顶面或底面均未从所述模塑料层暴露。
2.根据权利要求1所述的三维集成电路结构，其中，所述多个半导体管芯通过多个第一凸块与所述管芯连接。
3.根据权利要求1所述的三维集成电路结构，进一步包括：
底部填充层，形成在所述多个半导体管芯和所述管芯之间。
4.根据权利要求1所述的三维集成电路结构，进一步包括：
多个通孔，位于所述管芯中。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于台湾积体电路制造股份有限公司，未经台湾积体电路制造股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201510438514.X/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
