[发明专利]晶片的加工方法有效
申请号: | 201510440970.8 | 申请日: | 2015-07-24 |
公开(公告)号: | CN105321880B | 公开(公告)日: | 2020-06-19 |
发明(设计)人: | 长冈健辅;小川雄辉;小幡翼;伴祐人 | 申请(专利权)人: | 株式会社迪思科 |
主分类号: | H01L21/78 | 分类号: | H01L21/78;H01L21/66;B23K26/02 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 李辉;黄纶伟 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 晶片 加工 方法 | ||
1.一种晶片的加工方法,该晶片中,在层叠于基板的正面的功能层上在通过形成为格子状的多条分割预定线划分的多个区域中形成有器件,沿着分割预定线对该晶片进行分割,其特征在于,所述晶片的加工方法包含如下工序:
保护部件粘贴工序,在晶片的功能层的正面上粘贴保护部件;
高度记录工序,利用卡盘工作台保持实施该保护部件粘贴工序后的晶片的该保护部件侧,一边在X轴方向上对该卡盘工作台相对地进行加工进给一边检测保持在该卡盘工作台上的晶片的与分割预定线对应的背面的Z轴方向的高度位置,并记录分割预定线的X坐标和与该X坐标对应的Z坐标,该高度记录工序包含如下工序:高度计测工序,利用高度测量器对保持在该卡盘工作台上的晶片的背面的高度位置H进行计测;厚度计测工序,利用厚度测量器对晶片的厚度t进行计测;以及Z坐标计算工序,根据该高度位置H和该厚度t计算与分割预定线对应的晶片的正面的Z轴方向的高度位置,并加上未达到功能层的均匀的厚度h来计算对切削刀具的外周缘进行定位的Z坐标;
切削槽形成工序,在实施该高度记录工序之后,从基板的背面侧将切削刀具定位在与分割预定线对应的区域,并在X轴方向上对该卡盘工作台和切削刀具相对地进行加工进给,由此以残留未达到功能层的基板的一部分的方式形成切削槽;以及
激光加工工序,从实施该切削槽形成工序后的晶片的背面侧沿着该切削槽的底部照射激光光线,沿着该分割预定线对晶片进行分割,
在该切削槽形成工序中,根据在该高度记录工序中记录的X坐标和Z坐标使该切削刀具在Z轴方向上移动,而使所述基板的一部分残存有未达到功能层的均匀的厚度h。
2.根据权利要求1所述的晶片的加工方法,其中,
按照与在该切削槽形成工序中定位切削刀具的X坐标相同的X坐标实施该高度记录工序。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造