[发明专利]对存储器单元阵列进行编程及擦除的方法

权利要求书

1.一种编程存储器阵列中的多个存储器段中的至少一个的方法，所述存储器阵列包括位于P型衬底内的深N阱中的多个P阱，其中所述多个存储器段中的每一者驻存于所述多个P阱中的相应P阱内，所述方法包括以下步骤：

将所述深N阱设定为正电压；

将所述多个P阱中的选定P阱设定为第一负电压；

将所述多个P阱中的未选P阱设定为第二负电压；

将多个字线中的选定字线设定为所述正电压；

将所述多个字线中的未选字线设定为所述第二负电压；

将多个位线中的选定的至少一个位线设定为所述第一负电压；

将所述多个位线中的未选位线设定为第三电压；

将所述多个P阱中的所述选定P阱的第一源极选择栅极线设定为所述第一负电压；

将所述多个P阱中的所述选定P阱的第一源极选择漏极线设定为所述第一负电压；

将所述多个P阱中的所述未选P阱的第二源极选择栅极线设定为所述第二负电压；及

将所述多个P阱中的所述未选P阱的第二源极选择漏极线设定为所述第二负电压；

其中对所述多个存储器段中的耦合到所述多个字线中的所述选定字线及所述多个位线中的所述选定的至少一个位线的所述选定的至少一个存储器段进行编程。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述正电压约为4伏，所述第一负电压接近-11伏，所述第二负电压接近-7伏，且所述第三电压大致为零伏。

3.根据权利要求1所述的方法，其中所述多个存储器段中的所述选定的至少一个存储器段的数目包括每字节任意正整数位。

4.根据权利要求1所述的方法，其中所述多个存储器段中的未选存储器段耦合到所述多个字线中的所述未选字线。

5.根据权利要求1所述的方法，其中所述多个存储器段中的未选存储器段位于所述多个P阱中的所述未选P阱内。

6.根据权利要求1所述的方法，其中：所述正电压为零伏到20伏，所述第一负电压比所述正电压低10伏到20伏，所述第二负电压比所述第一负电压高零伏到6伏，且所述第三电压比所述正电压低零伏到6伏。

7.一种对存储器阵列中的多个存储器段中的选定存储器段进行编程的方法，所述存储器阵列包括位于P型衬底内的深N阱中的多个P阱，其中所述多个存储器段中的每一者驻存于所述多个P阱中的相应P阱内，所述方法包括以下步骤：

将所述深N阱设定为第一电压；

将所述多个P阱中的一者设定为第二电压；

将所述多个P阱中的其它P阱设定为第三电压；

将多个字线中的一者设定为第四电压；

将所述多个字线中的其它字线设定为第五电压；

将多个位线中的至少一者设定为第六电压；

将所述多个位线中的其它位线设定为第七电压；

将与所述多个P阱中的所述一者相关联的第一源极选择栅极线设定为第八电压；

将与所述多个P阱中的所述一者相关联的第一源极选择漏极线设定为第九电压；

将与所述多个P阱中的所述其它P阱相关联的第二源极选择栅极线设定为第十电压；及

将与所述多个P阱中的所述其它P阱相关联的第二源极选择漏极线设定为第十一电压，

其中对所述多个存储器段中的耦合到所述多个字线中的所述一者及所述多个位线中的所述至少一者的所述选定存储器段进行编程。

8.根据权利要求7所述的方法，其中所述第一电压和所述第四电压为接近4伏；所述第二电压、所述第六电压、所述第八电压及所述第九电压为接近-11伏；所述第三电压、所述第五电压、所述第十电压及所述第十一电压为接近-7伏；且所述第七电压为接近0伏。

9.根据权利要求7所述的方法，其中所述第一电压大致等于或高于零伏；所述第二电压、所述第六电压、所述第八电压及所述第九电压比所述第四电压低10伏到20伏；所述第三电压、所述第五电压、所述第十电压及所述第十一电压比所述第二电压高零到6伏；所述第四电压为零伏到20伏；所述第七电压比所述第四电压低零到6伏；所述第八电压大致等于或低于所述第二电压加上源极选择晶体管阈值电压；所述第九电压大致等于或高于所述第二电压；所述第十电压大致等于或低于所述第三电压加上源极选择晶体管阈值电压；且所述第十一电压大致等于或高于所述第三电压。