[发明专利]双向开关

权利要求书

1.一种双向开关，包括：

第一导电类型的半导体衬底，具有正表面和背表面，

相邻的第一晶闸管和第二晶闸管，反并联地连接，在所述衬底的所述正表面与所述背表面之间垂直地延伸；

第二导电类型的垂直外围壁，将所述半导体衬底的所述正表面连接至所述背表面，并且围绕相邻的所述第一晶闸管和所述第二晶闸管；以及

所述第一导电类型的第一区域，具有大于所述半导体衬底的掺杂水平的掺杂水平，在所述正表面上，在所述衬底的将所述垂直外围壁与相邻的所述第一晶闸管和所述第二晶闸管分隔开的环形区域中，所述第一区域具有环形带的部分的形状，部分地围绕所述第一晶闸管，并且停止于在相邻的所述第一晶闸管和所述第二晶闸管之间的相邻区域处。

2.根据权利要求1所述的双向开关，进一步包括：所述第一导电类型的第二区域，形成在与所述垂直外围壁连接的所述第二导电类型的第一阱中，所述第二区域形成所述双向开关的栅极并且定位为离所述第二晶闸管比离所述第一晶闸管更远。

3.根据权利要求2所述的双向开关，其中所述第二区域定位在所述第一晶闸管的与所述第二晶闸管相对的一侧上。

4.根据权利要求2所述的双向开关，其中所述第一区域的部分定位在所述第二区域与所述第一晶闸管之间。

5.根据权利要求2所述的双向开关，其中所述第一阱与所述垂直外围壁邻接。

6.根据权利要求1所述的双向开关，其中所述第一区域覆盖有未与所述开关的外部端子连接的金属化层。

7.根据权利要求1所述的双向开关，在所述正表面上、在所述衬底的所述环形区域中，进一步包括：所述第一导电类型的第三区域，具有大于所述衬底的掺杂水平的掺杂水平，所述第三区域具有环形带的部分的形状，部分地围绕所述第二晶闸管并且停止于在所述第一晶闸管和所述第二晶闸管之间的所述相邻区域处，并且其中所述第三区域和所述第一区域彼此分隔开。

8.根据权利要求7所述的双向开关，其中所述第三区域覆盖有未与所述开关的外部端子连接并且未与所述第一区域连接的金属化层。

9.根据权利要求1所述的双向开关，

在所述背表面上，包括：所述第二导电类型的层、以及形成在所述层中并且在所述背表面的第一部分之上延伸的所述第一导电类型的第四区域，所述层通过所述垂直外围壁连接至所述正表面；

在所述正表面上，包括：所述第二导电类型的第二阱，通过所述衬底的所述环形区域而与所述垂直外围壁分隔开；以及所述第一导电类型的第五区域，形成在所述第二阱中，并且在所述正表面的与所述第一部分互补的第二部分之上延伸，

其中所述第一区域的端部在顶视图中定位在离所述第四区域与离所述第五区域相同的距离处。

10.根据权利要求9所述的双向开关，进一步包括：第一金属化层，覆盖所述第四区域处的所述背表面以及所述第二导电类型的层处的所述背表面；以及第二金属化层，覆盖所述第五区域处的所述正表面以及所述第二阱处的所述正表面。

11.根据权利要求1所述的双向开关，其中所述第一导电类型和所述第二导电类型分别是类型N和类型P。

12.根据权利要求1所述的双向开关，其中所述第一区域是U形的。

13.根据权利要求1所述的双向开关，其中所述第一区域是C形的。