[发明专利]激光加工方法以及激光加工装置

权利要求书

1.一种切割方法，特征在于：

在光透射性材料的内部对准聚光点，将脉冲状的激光聚光并照射，沿着所述光透射性材料的切割图形移动激光的聚光点，在所述光透射性材料的表面以及背面不发生损伤的情况下，按照通过改变所述激光的重复频率与所述光透射性材料的移动速度的关系而被调节的间隔，仅在所述光透射性材料的内部沿着所述聚光点的移动方向形成裂纹，使沿着所述切割图形形成的所述裂纹向所述光透射性材料的表面以及背面生长，从而沿着所述切割图形切割所述光透射性材料，进一步，在沿着所述切割图形形成所述裂纹之后，具备：通过向所述光透射性材料施加物理外力，使仅在光透射性材料的内部形成的所述裂纹向表面以及背面生长，从而切割所述光透射性材料的工序。

2.如权利要求1所述的切割方法，特征在于：

所述光透射性材料是半导体晶片或压电元件晶片。

3.如权利要求1所述的切割方法，特征在于：

具备：沿着切割图形切割为各个芯片的工序。

4.如权利要求1所述的切割方法，特征在于：

切割所述光透射性材料的工序中，经由保持所述光透射性材料的具有弹性的树脂制的晶片板向所述光透射性材料施加应力。

5.如权利要求2所述的切割方法，特征在于：

具备：沿着切割图形切割为各个芯片的工序。

6.如权利要求3所述的切割方法，特征在于：

当将所述激光的光轴方向作为Z轴方向时，沿着与所述Z轴方向正交的X轴方向和与所述X轴方向以及所述Z轴方向正交的Y轴方向形成有所述切割图形。

7.如权利要求5所述的切割方法，特征在于：

当将所述激光的光轴方向作为Z轴方向时，沿着与所述Z轴方向正交的X轴方向和与所述X轴方向以及所述Z轴方向正交的Y轴方向形成有所述切割图形。

8.如权利要求2所述的切割方法，特征在于：

在所述半导体晶片或压电元件晶片的表面包括将被切割分离的多个器件芯片，各个芯片分别具备电路部分，

所述切割图形以激光照射于相邻的电路部分之间形成的间隙的方式被设定，沿着所述切割图形仅在晶片的内部形成所述裂纹。

9.如权利要求1、3～7中的任意一项所述的切割方法，特征在于：

所述光透射性材料是半导体晶片或压电元件晶片，在照射激光时，所述半导体晶片或压电元件晶片被晶片板保持着。

10.如权利要求2或8所述的切割方法，特征在于：

在照射激光时，所述半导体晶片或压电元件晶片被晶片板保持着。

11.一种切割方法，特征在于：

在光透射性材料的内部对准聚光点，将脉冲状的激光聚光并照射，沿着所述光透射性材料的切割图形移动激光的聚光点，在所述光透射性材料的表面以及背面不发生损伤的情况下，按照通过改变所述激光的重复频率与所述光透射性材料的移动速度的关系而被调节的间隔，仅在所述光透射性材料的内部沿着所述聚光点的移动方向形成裂纹，使沿着所述切割图形形成的所述裂纹向所述光透射性材料的表面以及背面生长，从而沿着所述切割图形切割所述光透射性材料，所述光透射性材料是半导体晶片或压电元件晶片，

在沿着所述切割图形形成所述裂纹之后，

具备：通过向所述半导体晶片或压电元件晶片施加物理外力，使仅在所述半导体晶片或压电元件晶片的内部形成的所述裂纹向表面以及背面生长，从而切割为多个器件芯片的工序。

12.如权利要求11所述的切割方法，特征在于：

切割为所述器件芯片的工序中，经由保持所述半导体晶片或压电元件晶片的具有弹性的树脂制的晶片板向所述半导体晶片或压电元件晶片施加应力。

13.如权利要求12中的任意一项所述的切割方法，特征在于：

所述光透射性材料是半导体晶片或压电元件晶片，在照射激光时，所述半导体晶片或压电元件晶片被晶片板保持着。

14.如权利要求11所述的切割方法，特征在于：

在照射激光时，所述半导体晶片或压电元件晶片被晶片板保持着。