[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，其特征在于，

具有如下电路结构：并联连接至少两个使至少两个开关元件串联连接，并在相邻的开关元件的连接部连接有钳位二极管的开关电路，并且通过基准电位布线连接向分别以在并联连接的所述开关电路间输出同一电平的电位的方式进行动作的开关元件施加同一控制信号时成为基准电位的辅助端子，

其中，利用具有与开关元件的额定电流相近的电流容量且具有比所述基准电位布线的电阻低的电阻的布线将在并联连接的所述开关电路间分别连接了所述钳位二极管的所述连接部彼此连接。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

所述开关电路搭载于在各自独立的绝缘基板形成的电路图案，所述布线将在相邻配置的所述绝缘基板上形成所述连接部的所述电路图案彼此连接。

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

开关元件是IGBT芯片，所述布线连接到高电位侧的所述IGBT芯片的发射极端子间。

4.一种半导体装置，其特征在于，

具有如下电路结构：并联连接至少两个使至少两个IGBT芯片串联连接，并在相邻的IGBT芯片的连接部连接有钳位二极管的开关电路，并且通过基准电位布线连接分别以在并联连接的所述开关电路间输出同一电平的电位的方式进行动作的IGBT芯片的辅助发射极端子，其中，利用具有与IGBT芯片的额定电流相近的电流容量且具有比所述基准电位布线的电阻低的电阻的布线将在并联连接的所述开关电路间分别连接了所述钳位二极管的所述连接部彼此连接。

5.一种半导体装置，其特征在于，

具有如下电路结构：并联连接至少两个使至少两个IGBT芯片串联连接，并在相邻的IGBT芯片的连接部连接有钳位二极管的开关电路，

其中，在并联连接的所述开关电路中，利用具有与IGBT芯片的额定电流相近的电流容量的布线将在分别串联连接了的高电位侧的IGBT芯片的辅助发射极端子间分别连接了所述钳位二极管的所述连接部彼此连接。

6.根据权利要求1、4或5所述的半导体装置，其特征在于，所述布线具有0.1欧姆以下的电阻值。