[发明专利]结构体、其制造方法和塔尔博干涉仪

权利要求书

1.X射线塔尔博干涉仪，包括：

能够将来自X射线源的X射线辐射衍射以形成干涉图案的X射线衍射格栅；

能够将形成干涉图案的X射线辐射部分地屏蔽的X射线屏蔽格栅，和

能够检测来自X射线屏蔽格栅的X射线辐射的X射线检测器，

其中X射线屏蔽格栅包括：

具有多个凹部的硅基板，每个凹部具有底部和侧壁；

硅化物层，每个硅化物层设置在凹部中并且与凹部的底部接触；和

包括金属部的金属结构体，其各自设置在凹部中。

2.X射线塔尔博干涉仪，包括：

能够将来自X射线源的X射线辐射分割的X射线屏蔽格栅，

能够将来自X射线屏蔽格栅的X射线辐射衍射以形成干涉图案的X射线衍射格栅；和

能够检测形成干涉图案的X射线辐射的至少一部分的X射线检测器，

其中X射线屏蔽格栅包括：

具有多个凹部的硅基板，每个凹部具有底部和侧壁；

硅化物层，每个硅化物层设置在凹部中并且与凹部的底部接触；和

包括金属部的金属结构体，其各自设置在凹部中。

3.结构体的制造方法，包括：

加热具有多个凹部的硅基板，每个凹部具有其上设置第一金属层的底部，由此形成各自在底部与金属层之间的界面处的硅化物层，通过硅基板将不同凹部中的硅化物层彼此电连接；

在凹部周围的顶表面上依次形成绝缘层和第二金属层；

从顶表面将第二金属层除去以使绝缘层露出；和

通过利用对硅化物层通电而进行的电镀，用金属至少部分地填充各个凹部，从而形成金属结构体，

其中在金属结构体的形成前将第二金属层除去。

4.根据权利要求3的方法，其中硅基板通过包括以下的工序制备：

通过蚀刻在起始硅基板中形成多个凹部；

在各个凹部的底部和侧壁上形成绝缘层；

通过用含有由C_xH_yF_z表示的气体的第一蚀刻气体将绝缘层从底部部分地除去并且进一步用第二蚀刻气体蚀刻底部而在底部处使起始硅基板部分地露出；和

在使起始硅基板部分地露出的底部上形成第一金属层，

其中式C_xH_yF_z中，x表示1以上的整数，y表示0以上的整数，和z表示1以上的整数。

5.根据权利要求4的方法，其中第二蚀刻气体含有选自以下的气体：六氟化硫、氯、溴、溴化氢、三氟化铵、四氟化硅、四氯化硅、三氟化氯和三氯化磷。

6.X射线屏蔽格栅的制造方法，包括：

加热具有其表面上配置的多个凸部和在凸部之间的区域中在其表面上设置的第一金属层的硅基板，由此在第一金属层与对应的凸部之间的硅基板的区域之间的界面处形成硅化物层；

对各凸部在其顶表面上依次设置绝缘层和第二金属层；

从凸部的顶表面将第二金属层除去以使顶表面处的绝缘层露出；和

通过对硅化物层通电而进行的电镀，在硅化物层上沉积金属以形成金属结构体，

其中在金属结构体的形成前将第二金属层除去。