[发明专利]共掺型与分掺型ZnInS/ZnS双发射量子点的制备方法

权利要求书

1.一种共掺型与分掺型ZnInS/ZnS双发射量子点的制备方法，其特征在于：包括白光发射ZnInS:Ag/ZnS/ZnS:Mn/ZnS与ZnInS:Ag&Mn/ZnS/ZnS/ZnS纳米材料的制备；

其中，采用核壳结构合成ZnInS:Ag/ZnS/ZnS:Mn/ZnS纳米材料，包括如下步骤：

(1)颜色可调ZnInS:Ag核的制备：在氮气环境下向DDT和OAm中加入Ag⁺,Zn²⁺,In³⁺，然后加热到230℃，S前驱体注入，之后在220℃保持15Min，最后退火至100℃，进行ZnS第一摩尔层包壳；

(2)第一摩尔层ZnS包核：将Zn前驱体加入到退火后的ZnInS:Ag核溶液中，然后升温到230℃，S前驱体注入，之后在该温度下保持10Min，等待Mn离子的吸附与第二摩尔层与第三摩尔层的包敷；

(3)Mn离子的吸附与第二、三摩尔层的包核：在第一摩尔层ZnS包核进行10Min后，Mn前驱体注入，之后升温到260℃保持5Min，然后降温到100℃，Zn前驱体加入，之后升温到230，S前驱体注入，之后在该温度下保持15Min，到此量子点生长完成；

ZnInS:Ag&Mn/ZnS/ZnS/ZnS纳米材料的制备是把上述步骤(3)中Mn前驱体的注入时机提前到步骤(1)中S前驱体注入之前，其他同上述步骤。

2.如权利要求1所述的共掺型与分掺型ZnInS/ZnS双发射量子点的制备方法，其特征在于：步骤(1)中，DDT，OAm，Ag⁺，Zn²⁺，In³⁺的投料比为：2mL：3mL：0.01mmol：0.1mmmol：0.1mmmol。

3.如权利要求1所述的共掺型与分掺型ZnInS/ZnS双发射量子点的制备方法，其特征在于：所述的Ag⁺,Zn²⁺,In³⁺分别来自AgNO₃,Zn(O_A)₂,In(O_A)₃。

4.如权利要求1所述的共掺型与分掺型ZnInS/ZnS双发射量子点的制备方法，其特征在于：所述S前驱体的制备方法为：将S溶于OAm中，然后加热到50℃，在超声条件下使其溶解，最后加入ODE稀释，配成S前躯体溶液；S，OAm，ODE的投料比为1mmol：1mL：1mL。

5.如权利要求1所述的共掺型与分掺型ZnInS/ZnS双发射量子点的制备方法，其特征在于：所述Zn的前驱体制备方法为：将Zn(O_A)₂溶于OAm与ODE的混合液中，然后在在温度为50℃的条件下，搅拌两个小时，使其溶解；Zn(O_A)₂，OAm，ODE的投料比2mmol：4mL：1mL。

6.如权利要求1所述的共掺型与分掺型ZnInS/ZnS双发射量子点的制备方法，其特征在于：所述Mn的前驱体制备方法为：Mn(O_A)₂溶于OAm中，然后在氮气保护下加热到50℃，使其溶解，配成Mn前躯体溶液；Mn(O_A)₂，OAm的投料比为0.1mmmol：10mL。

7.如权利要求1所述的共掺型与分掺型ZnInS/ZnS双发射量子点的制备方法，其特征在于：通过调节Zn/In的比例来调节光谱从497nm到631nm，调节范围为0.14～2。

8.如权利要求1所述的共掺型与分掺型ZnInS/ZnS双发射量子点的制备方法，其特征在于：通过调节Mn/Ag两种掺杂离子的比例来对两个峰的强度进调节，调节范围为0～0.67。