[发明专利]一种铜铟镓硒薄膜太阳电池无镉缓冲层的原子层沉积制备方法有效
| 申请号： | 201510444958.4 | 申请日： | 2015-07-27 |
| 公开（公告）号： | CN105118875B | 公开（公告）日： | 2023-07-07 |
| 发明（设计）人： | 杨雯;赵恒利;杨培志;段良飞;李学铭 | 申请（专利权）人： | 云南师范大学 |
| 主分类号： | H01L31/0296 | 分类号： | H01L31/0296;H01L31/0749;H01L31/0445 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 650500 云*** | 国省代码： | 云南;53 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 铜铟镓硒 薄膜 太阳电池 缓冲 原子 沉积 制备 方法 | ||
1.一种铜铟镓硒薄膜太阳电池无镉缓冲层的沉积方法，其制备步骤包括：在普通钠钙玻璃衬底上依次制备钼背电极和铜铟镓硒光吸收层，形成样片，将样片放入原子层沉积系统的反应室中，抽反应室真空到0.5pa以下，设置反应腔室温度为150-250℃，采用二乙基锌（DEZn）、双环戊二茂镁（MgCP2）、H2S作为Zn、Mg和S的前躯体源，使用高纯度N2作为载运和清洗气体，携带气体流量为100-300sccm，源瓶温度设置为室温到100℃，分别设置ZnS和MgS一个生长周期的脉冲时间为10-50ms，等待时间为3-10s，生长300-500个周期的薄膜，可得到厚度为40-70nm的Zn1-xMgxS薄膜，薄膜的Mg组分通过调节ZnS和MgS的生长周期数来实现。
2.根据权利要求1所述的铜铟镓硒薄膜太阳电池无镉缓冲层的沉积方法，其特征在于：采用二乙基锌（DEZn）、双环戊二茂镁（MgCP2）、H2S作为Zn、Mg和S的前躯体源，采用原子层沉积（ALD）技术制备优质Zn1-xMgxS薄膜。
3.根据权利要求1所述的铜铟镓硒薄膜太阳电池无镉缓冲层的沉积方法，其特征在于：携带气体流量100-300sccm，源瓶温度设置为室温到100℃；分别设置ZnS和MgS一个生长周期的脉冲时间为10-50ms，等待时间为3-10s；为满足缓冲层的使用要求，薄膜生长300-500个周期。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
