[发明专利]一种在GaAs衬底上生长的蓝光LED外延结构在审
| 申请号： | 201510445284.X | 申请日： | 2015-07-27 |
| 公开（公告）号： | CN106711303A | 公开（公告）日： | 2017-05-24 |
| 发明（设计）人： | 田宇;郑建钦;吴真龙;曾颀尧;李鹏飞 | 申请（专利权）人： | 南通同方半导体有限公司;同方股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/32 | 分类号： | H01L33/32;H01L33/12;H01L33/10 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 226015 江苏省南*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 gaas 衬底 生长 led 外延 结构 | ||
1.一种在GaAs衬底上生长的蓝光LED外延结构，它从下至上依次包括衬底（1）、缓冲层（2）、U型GaN层（3）、N型GaN层（4）、有源区（5）、电子阻挡层（6）和P型GaN层（7），其特征在于：所述衬底（1）为GaAs衬底，所述缓冲层（2）包括ZnO缓冲层（21）和生长在ZnO缓冲层（21）上的金属氮化物缓冲层（22），所述U型GaN层（3）从下至上依次包括U1型GaN层（31）、布拉格反射层（33）和U2型GaN层（32）。
2.根据权利要求1所述在GaAs衬底上生长的蓝光LED外延结构，其特征在于：所述ZnO缓冲层（21）的生长厚度为5-30nm,生长温度为500-800°。
3.根据权利要求1或2所述在GaAs衬底上生长的蓝光LED外延结构，其特征在于：所述金属氮化物缓冲层（22）的厚度为5~30nm，生长温度为500-800°，金属氮化物缓冲层（22）为AlN缓冲层、GaN缓冲层或AlGaN缓冲层中任意一种。
4.根据权利要求3所述在GaAs衬底上生长的蓝光LED外延结构，其特征在于：所述U1型GaN层（31）的厚度为1um~5um,生长温度为900-1200度。
5.根据权利要求4所述在GaAs衬底上生长的蓝光LED外延结构，其特征在于：所述布拉格反射层（33）为超晶格GaN /AlGaN，所述超晶格GaN /AlGaN为GaN层和AlGaN层交替生长，生长周期数为3-20，其中GaN厚度为1-50nm,AlGaN厚度为1-50nm, AlGaN的Al组份为0.2~0.6，所述布拉格反射层（33）的生长温度在900-1200度。
6.根据权利要求5所述在GaAs衬底上生长的蓝光LED外延结构，其特征在于：所述U2型GaN层（32）的厚度为1-5um,生长温度在900-1200度。
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