[发明专利]一种铜铟镓硒薄膜太阳电池无镉缓冲层材料的制备方法有效
| 申请号： | 201510445316.6 | 申请日： | 2015-07-27 |
| 公开（公告）号： | CN105047736B | 公开（公告）日： | 2017-05-03 |
| 发明（设计）人： | 杨雯;赵恒利;杨培志;段良飞;李学铭 | 申请（专利权）人： | 云南师范大学 |
| 主分类号： | H01L31/0296 | 分类号： | H01L31/0296;H01L31/0445 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 650500 云南省昆*** | 国省代码： | 云南;53 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 新型 铜铟镓硒 薄膜 太阳电池 缓冲 材料 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种铜铟镓硒薄膜太阳电池无镉缓冲层材料的制备方法，其制备步骤包括：在普通钠钙玻璃衬底或柔性衬底上依次制备钼背电极和铜铟镓硒光吸收层，形成样片；将纯度大于99.99%的ZnS靶源和Mg靶源分别装入靶座位置；将溅射腔的本底真空抽至2×10-4Pa以下，采用纯度大于99.99%的高纯氩气，在0.2Pa至2Pa之间调控溅射腔气压；采用射频共溅射ZnS靶和Mg靶，溅射氩气流量为20-35sccm，两靶的溅射功率在50-300W内分别调控，共溅射15-50分钟即可得到厚度合适的Zn1-xMgxS缓冲层薄膜。
2.根据权利要求1所述的铜铟镓硒薄膜太阳电池无镉缓冲层材料的制备方法，其特征在于：采用ZnS靶源、Mg靶源共溅射制备Zn1-xMgxS薄膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
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H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
