[发明专利]电子器件

权利要求书

1.一种具有半导体器件的电子器件，半导体器件包括：

第一电极；

第二电极；

开关层，设置在第一电极和第二电极之间；

第三电极；以及

可变电阻层，包括氮化物并设置在第二电极和第三电极之间，

其中，第一电极和第二电极均包括碳。

2.根据权利要求1所述的电子器件，

其中，可变电阻层包括金属氮化物层，以及

其中，金属氮化物层包括氮空位。

3.根据权利要求1所述的电子器件，其中，可变电阻层包括金属氮化物层和金属层的层叠结构。

4.根据权利要求3所述的电子器件，其中，金属氮化物层包括氮化钽或氮化钛。

5.根据权利要求3所述的电子器件，其中，金属层选自于由钽层、钛层、铪层和它们的组合组成的组。

6.根据权利要求1所述的电子器件，其中，开关层选自于由二极管、晶体管、由绝缘材料形成的隧道势垒、金属绝缘体转变层、变阻器和双向阈值切换层组成的组。

7.根据权利要求1所述的电子器件，

其中，开关层包括硫族化物层，以及

其中，硫族化物层包括Te、Se、Ge、Si、As、Ti、S、Sb或它们的组合。

8.根据权利要求1所述的电子器件，还包括微处理器，微处理器包括：

控制单元，被配置成从微处理器的外部接收包括命令的信号，并执行提取、所述命令的译码或者对微处理器的信号的输入或输出的控制；

操作单元，被配置成基于控制单元对所述命令进行译码的结果来执行操作；以及

存储单元，被配置成存储用于执行所述操作的数据、与执行所述操作的结果对应的数据或者用于执行所述操作的数据的地址；

其中，包括可变电阻元件的半导体存储单元是微处理器中的存储单元的部分。

9.根据权利要求1所述的电子器件，还包括处理器，处理器包括：

核单元，被配置成通过使用数据，基于从处理器外部输入的命令来执行与所述命令对应的操作；

高速缓冲存储单元，被配置成存储用于执行所述操作的数据、与执行所述操作的结果对应的数据、或者用于执行所述操作的数据的地址；以及

总线接口，连接在核单元和高速缓冲存储单元之间，并且被配置成在核单元和高速缓冲存储单元之间传输数据，

其中，包括可变电阻元件的半导体存储单元是处理器中的高速缓冲存储单元的部分。

10.根据权利要求1所述的电子器件，还包括处理系统，处理系统包括：

处理器，被配置成对通过处理器接收的命令进行译码，并且基于对所述命令进行译码的结果来控制对信息的操作；

辅助存储器件，被配置成存储用于对所述命令进行译码的程序和所述信息；

主存储器件，被配置成调用和存储来自辅助存储器件的所述程序和所述信息，使得处理器在执行所述程序时可以利用所述程序和所述信息来执行所述操作；以及

接口器件，被配置成执行处理器、辅助存储器件和主存储器件中的至少一个与外部之间的通信，

其中，包括可变电阻元件的半导体存储单元是处理系统中的辅助存储器件或主存储器件的部分。