[发明专利]一种高平整度的Ni50Mn34In12Co4合金薄膜的制备方法有效
| 申请号： | 201510446285.6 | 申请日： | 2015-07-27 |
| 公开（公告）号： | CN105018888B | 公开（公告）日： | 2018-03-20 |
| 发明（设计）人： | 董桂馥 | 申请（专利权）人： | 大连大学 |
| 主分类号： | C23C14/34 | 分类号： | C23C14/34;C23C14/18 |
| 代理公司： | 大连智高专利事务所(特殊普通合伙)21235 | 代理人： | 胡景波 |
| 地址： | 116622 辽宁省*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 平整 ni sub 50 mn 34 in 12 co 合金 薄膜 制备 方法 | ||
1.一种高平整度的Ni50Mn34In12Co4合金薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：按照摩尔份数比50:34:12:4分别取纯度为99.99at.％Ni、纯度为99.95at.％Mn、纯度为99.99at.％In、纯度为99.95at.％Co金属单质放置于真空非自耗电极电弧炉中熔炼；将电弧炉内抽真空至5×10-3Pa，充入氩气，得到圆形靶材；将处理后的基板与靶材置于真空系统中，抽真空至1.0×10-4Pa，基板温度为550～700℃，基板与靶材距离为3～5cm；再用激光器发射激光，控制频率为4Hz，溅射2小时，制得要求厚度的薄膜；最后经过850℃退火3h，制备出高平整度的Ni50Mn34In12Co4铁磁性形状记忆合金薄膜。
2.根据权利要求1所述的一种高平整度的Ni50Mn34In12Co4合金薄膜的制备方法，其特征在于，熔炼过程中为保证合金化学成分的均匀性，每次熔炼前将试样翻转至少四次并加以磁搅拌。
3.根据权利要求1所述的一种高平整度的Ni50Mn34In12Co4合金薄膜的制备方法，其特征在于，所述的基板为石英玻璃基板；所述的基板的处理方法为：石英玻璃玻璃基板先经过去离子水洗，然后在丙酮中超声10～15分钟，再用无水乙醇清洗，烘干。
4.一种按权利要求1～3所述的任一种方法制备的高平整度的Ni50Mn34In12Co4合金薄膜。
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