[发明专利]一种提高相控阵雷达T/R组件质量的工艺方法

权利要求书

1.一种提高相控阵雷达T/R组件加工质量的工艺方法，所述的T/R组件包括低温共烧陶瓷基板(1)、组件壳体(2)，其特征在于：所述的T/R组件生产时，1)在低温共烧陶瓷基板(1)表面涂抹锡材作为焊膏层(5)，对涂抹焊膏层(5)的低温共烧陶瓷基板(1)进行加热；2)在涂抹焊膏层(5)的低温共烧陶瓷基板(1)表面的凹坑部位放置补充锡材(3)；3)用烙铁对补充锡材(3)进行加热，完成凹坑部位填补；4)将上述处理后的低温共烧陶瓷基板(1)安装到组件壳体(2)内；

在所述的低温共烧陶瓷基板(1)表面涂抹锡材作为焊膏层(5)前，将低温共烧陶瓷基板(1)放置到乙酸溶液中进行浸泡，浸泡完成后刷洗干净；

将低温共烧陶瓷基板(1)安装到组件壳体(2)前，将组件壳体(2)放入烘箱中进行烘烤；

用烙铁对补充锡材(3)进行加热时，烙铁的温度设置在300℃—450℃之间，烙铁对补充锡材(3)进行加热的加热时间持续10s—30s；

在低温共烧陶瓷基板(1)表面涂抹焊膏层(5)后，在焊膏层(5)表面涂抹助焊剂，再在低温共烧陶瓷基板(1)表面的凹坑部位放置补充锡材(3)。

2.根据权利要求1所述的提高相控阵雷达T/R组件加工质量的工艺方法，其特征在于：对涂抹焊膏层(5)的低温共烧陶瓷基板(1)进行加热处理时，将所述的低温共烧陶瓷基板(1)放置到温度设置在140℃—160℃之间的加热平台Ⅰ上进行预热，预热时间持续5min—10min后，再放置到温度设置在190℃—220℃之间的加热平台Ⅱ上进行加热，在加热平台Ⅱ上的加热时间持续3min—6min。

3.根据权利要求1所述的提高相控阵雷达T/R组件加工质量的工艺方法，其特征在于：将组件壳体(2)放入烘箱中进行烘烤时，组件壳体(2)烘烤温度设置在80℃—100℃之间，组件壳体(2)的烘烤时间持续15min—35min。

4.根据权利要求1所述的提高相控阵雷达T/R组件加工质量的工艺方法，其特征在于：将低温共烧陶瓷基板(1)放置到乙醇溶液中进行浸泡时，乙醇溶液的温度设置在40℃—60℃之间，低温共烧陶瓷基板(1)的浸泡时间持续20min—35min。

5.根据权利要求1所述的提高相控阵雷达T/R组件加工质量的工艺方法，其特征在于：将处理后的低温共烧陶瓷基板(1)安装到组件壳体(2)后，通过回流炉焊接或加热平台焊接方式对低温共烧陶瓷基板(1)和组件壳体(2)进行焊接。