[发明专利]一种导电组件及其制备方法、基板、显示装置

权利要求书

1.一种导电组件，其特征在于，所述导电组件包括：

金属层；

在所述金属层的至少一侧表面上依次设置的吸光层与减反射层；

其中，所述吸光层的折射率大于所述减反射层的折射率；

所述减反射层远离所述吸光层的第一表面靠近于光线射入的方向；

所述吸光层由金属氧化物和/或金属氮氧化物构成；所述减反射层由金属氧化物构成；

其中，所述吸光层中的氧含量小于所述减反射层中的氧含量。

2.根据权利要求1所述的导电组件，其特征在于，所述导电组件包括位于所述吸光层远离所述金属层一侧的至少两层所述减反射层；

其中，沿由所述吸光层指向所述减反射层的方向，各层所述减反射层的折射率依次降低。

3.根据权利要求2所述的导电组件，其特征在于，所述减反射层由金属氧化物构成；

其中，沿由所述吸光层指向所述减反射层的方向，各层所述减反射层中的氧含量依次提高。

4.根据权利要求1或3所述的导电组件，其特征在于，所述吸光层中的金属元素与所述减反射层中的金属元素相同。

5.根据权利要求4所述的导电组件，其特征在于，所述金属层中的金属元素、所述吸光层中的金属元素以及所述减反射层中的金属元素均相同。

6.根据权利要求1所述的导电组件，其特征在于，所述吸光层的折射率为3～4，所述减反射层的折射率为1～2。

7.一种导电组件的制备方法，其特征在于，所述方法包括：

在金属层的至少一侧表面上，依次形成吸光层、减反射层；其中，所述吸光层的折射率大于所述减反射层的折射率；

形成的所述吸光层由金属氧化物和/或金属氮氧化物构成；

形成的所述减反射层由金属氧化物构成；

其中，所述吸光层中的氧含量小于所述减反射层中的氧含量。

8.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，采用溅射沉积法，通过调节溅射反应气体的流量，一次溅射形成所述吸光层与所述减反射层。

9.根据权利要求8所述的制备方法，其特征在于，所述采用溅射沉积法，通过调节溅射反应气体的流量，一次溅射形成所述吸光层与所述减反射层，具体包括：

采用金属靶材，在氧气气氛下溅射形成吸光层；

在形成有所述吸光层的反应体系中增大通入的所述氧气流量，溅射形成减反射层；

或者，

采用金属靶材，在氧气与氮气气氛下溅射形成吸光层；

在形成有所述吸光层的反应体系中停止氮气的通入，且增大通入的所述氧气流量，溅射形成减反射层。

10.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，在所述吸光层远离所述金属层一侧至少形成两层所述减反射层；

其中，沿由所述吸光层指向所述减反射层的方向，各层所述减反射层的折射率依次降低。

11.根据权利要求10所述的制备方法，其特征在于，形成的所述减反射层由金属氧化物构成；

其中，沿由所述吸光层指向所述减反射层的方向，各层所述减反射层中的氧含量依次提高。

12.根据权利要求11所述的制备方法，其特征在于，采用金属靶材，在氧气气氛下逐层溅射形成各层所述减反射层；

其中，沿由所述吸光层指向所述减反射层的方向，溅射各层所述减反射层时通入的所述氧气的流量依次提高。

13.根据权利要求8所述的制备方法，其特征在于，采用溅射沉积法，通过调节溅射反应气体的流量，一次溅射形成所述吸光层与所述减反射层，包括：

采用溅射沉积法，通过调节溅射反应气体的流量，一次溅射形成所述金属层、所述吸光层以及所述减反射层。

14.一种基板，其特征在于，所述基板包括导电图案；所述导电图案由权利要求1至6任一项所述的导电组件构成。

15.根据权利要求14所述的基板，其特征在于，所述导电图案包括：栅极、栅线以及栅线引线中的至少一种。

16.根据权利要求14所述的基板，其特征在于，所述导电图案包括：源极、漏极、与所述源极相连的数据线以及数据线引线中的至少一种。