[发明专利]一种硅通孔互连结构的成形方法

权利要求书

1.一种硅通孔互连结构的成形方法，其工艺包括如下步骤：

步骤一、提供带有硅通孔（12）的硅基体（1），其上表面设置有半导体工艺层（11），所述硅通孔（12）内设置金属柱（3），所述金属柱（3）与硅通孔（12）的孔壁之间沉积有钝化层Ⅰ（21）；

步骤二、通过机械打磨的方法将硅基体（1）下方的厚度整体减薄至露出金属柱（3）的下表面；

步骤三、依次通过溅射金属种子层、光刻、电镀工艺，在所述金属柱（3）的下表面形成厚度为h2的金属块（4）；

步骤四、采用湿法腐蚀的方法将硅基体（1）下方的厚度进一步减薄，露出金属柱（3）和钝化层Ⅰ（21）的下端；

步骤五、在所述硅基体（1）的下表面沉积钝化层Ⅱ（22），所述钝化层Ⅱ（22）覆盖硅基体（1）的下表面及金属块（4），并开设金属块开口（41）露出金属块（4）的下表面；

步骤六、再次依次通过溅射金属种子层、光刻、电镀工艺，在钝化层Ⅱ（22）的表面选择性地形成再布线金属层（6），再布线金属层（6）的一端通过金属块开口（41）延伸至金属块（4），且与金属块（4）固连，其另一端设置输入/输出端（61）；

步骤七、在再布线金属层（6）的外层覆盖保护层（7），通过光刻工艺形成保护层开口（71），露出再布线金属层（6）的输入/输出端（61）。

2.根据权利要求1所述的一种硅通孔互连结构的成形方法，其特征在于：所述金属块（4）的横截面呈圆形或多边形，并将硅通孔（12）完全覆盖。

3.根据权利要求1或2所述的一种硅通孔互连结构的成形方法，其特征在于：所述金属块（4）的材质为铜Cu、镍Ni、钒V、钛Ti、钯Pd、金Au、银Ag中的一种或任意几种的组合。

4.根据权利要求1所述的一种硅通孔互连结构的成形方法，其特征在于：所述湿法腐蚀采用碱性硅腐蚀剂。