[发明专利]一种有机发光二极管阵列基板、制备方法及显示装置

权利要求书

1.一种有机发光二极管阵列基板的制备方法，其特征在于，所述方法包括：

在基板的像素驱动层上依次形成反射底电极薄膜、第一微腔调整层薄膜及第二微腔调整层薄膜；

采用一次构图工艺在基板上形成反射底电极图形和厚度不同的微腔调整层，所述一次构图工艺包括两次刻蚀处理；

在所述微腔调整层上依次形成发光功能层和顶电极；

其中，所述微腔调整层包括所述第一微腔调整层，或，包括所述第一微腔调整层和所述第二微腔调整层；

所述有机发光二极管阵列基板包括多个像素，每个像素包括红色子像素、蓝色子像素和绿色子像素；其中，所述红色子像素和所述蓝色子像素对应同时设置有所述第一微腔调整层和所述第二微腔调整层的区域，所述绿色子像素对应仅设置有所述第一微腔调整层的区域。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述采用一次构图工艺在基板上形成反射底电极图形和厚度不同的微腔调整层，包括：

在所述第二微腔调整层薄膜上涂覆一层光刻胶；

对涂覆光刻胶的基板表面进行曝光处理，在基板上形成光刻胶完全去除区域、光刻胶完全保留区域和光刻胶半保留区域，其中，所述光刻胶完全保留区域对应于同时设置有所述第一微腔调整层和所述第二微腔调整层的区域，光刻胶半保留区域对应于仅设置有所述第一微腔调整层的区域，光刻胶完全去除区域对应于上述区域以外的区域；

对曝光处理后的基板表面进行显影处理，在基板上形成不同厚度的光刻胶，其中，所述光刻胶完全去除区域的光刻胶被去除，所述光刻胶完全保留区域的光刻胶厚度不变，所述光刻胶半保留区域的光刻胶厚度变小；

对显影处理后的基板表面进行第一次刻蚀处理，刻蚀掉所述光刻胶完全去除区域的所述第二微腔调整层薄膜、所述第一微腔调整层薄膜和所述反射底电极薄膜，形成反射底电极图形；

对第一次刻蚀处理后的基板表面进行灰化处理，去除所述光刻胶半保留区域的光刻胶，将位于所述光刻胶半保留区域内的所述第二微腔调整层薄膜暴露出来；

对灰化处理后的基板表面进行第二次刻蚀处理，刻蚀掉暴露出来的所述第二微腔调整层薄膜，形成厚度不同的微腔调整层；

剥离剩余的光刻胶。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述对涂覆光刻胶的基板表面进行曝光处理，包括：

采用半色调或灰色调掩膜板对涂覆光刻胶的基板表面进行曝光处理。

4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述对显影处理后的基板表面进行第一次刻蚀处理，包括：

依次使用第二微腔调整层刻蚀液、第一微腔调整层刻蚀液及反射底电极刻蚀液对显影处理后的基板表面进行第一次刻蚀处理。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述对灰化处理后的基板表面进行第二次刻蚀处理，包括：

使用所述第二微腔调整层刻蚀液对灰化处理后的基板表面进行第二次刻蚀处理。

6.根据权利要求1至5中任一权利要求所述的方法，其特征在于，所述反射底电极为反射率高于90％的合金薄膜。

7.根据权利要求1至5中任一权利要求所述的方法，其特征在于，所述第一微腔调整层为透明结晶氧化物导电薄膜，所述第二微腔调整层为透明非结晶氧化物导电薄膜。

8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述透明结晶氧化物导电薄膜包括结晶态氧化铟锡薄膜。

9.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述透明非结晶氧化物导电薄膜包括非结晶态氧化铟锡薄膜、铟镓锌氧化物薄膜、氧化铟锌薄膜、氧化铝锌薄膜中的至少一种。

10.根据权利要求1至5中任一权利要求所述的方法，其特征在于，所述反射底电极的厚度为50nm～300nm。

11.根据权利要求1至5中任一权利要求所述的方法，其特征在于，所述第一微腔调整层的厚度为5nm～15nm。

12.根据权利要求1至5中任一权利要求所述的方法，其特征在于，所述第二微腔调整层的厚度为50nm～70nm。