[发明专利]一种集成螺线管型微电感绕组线圈的通孔刻蚀方法

权利要求书

1.一种集成螺线管型微电感绕组线圈的制备方法，包括以下步骤：

步骤1：在衬底基片上制备下层线圈和绝缘介质层，然后在所述绝缘介质层上涂覆厚度为7～10μm的光刻胶，曝光，显影，得到通孔的开口图形；

步骤2：采用反应离子刻蚀对绝缘介质层进行刻蚀，刻蚀气体为氧气和氩气的混合气体，其中，氧气和氩气的流量比为(3～5)：1；刻蚀过程中，每刻蚀5min后停止3～5min，对基片进行散热，刻蚀速率为280nm/min，重复进行“刻蚀5min后停止3～5min”的过程数次，直至在绝缘介质层上刻蚀得到通孔；

步骤3：去除剩余的光刻胶，在步骤2刻蚀通孔后得到的基片表面溅射缓冲层和种子层；然后涂覆厚度为5～10μm的光刻胶，曝光，显影，得到通孔和上层线圈图形，采用电镀工艺电镀铜，得到通孔中的铜和上层铜线圈；最后去除光刻胶、种子层和缓冲层，得到绕组线圈。

2.根据权利要求1所述的集成螺线管型微电感绕组线圈的制备方法，其特征在于，所述绝缘介质层为聚酰亚胺介质层。

3.根据权利要求1所述的集成螺线管型微电感绕组线圈的制备方法，其特征在于，步骤2所述刻蚀气体为45sccm的O₂和10sccm的Ar的混合气体。

4.根据权利要求1所述的集成螺线管型微电感绕组线圈的制备方法，其特征在于，步骤3所述缓冲层为Ti附着层，所述种子层为Cu。

5.根据权利要求1所述的集成螺线管型微电感绕组线圈的制备方法，其特征在于，步骤3种子层的去除采用体积比为浓H₂SO₄:H₂O₂:H₂O＝1:1:5的混合液，缓冲层的去除采用体积比为HF:H₂O＝1:7的混合液。