[发明专利]635纳米的窄带滤光片及其制作方法在审

专利信息
申请号: 201510448787.2 申请日: 2015-07-28
公开(公告)号: CN106707390A 公开(公告)日: 2017-05-24
发明(设计)人: 王卫国;其他发明人请求不公开姓名 申请(专利权)人: 王卫国
主分类号: G02B5/20 分类号: G02B5/20;G02B1/00
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 425100 湖南省永*** 国省代码: 湖南;43
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摘要:
搜索关键词: 635 纳米 窄带 滤光 及其 制作方法
【权利要求书】:

1.本发明公开一种635纳米的窄带滤光片及其制作方法,其特征是:玻璃为基板,表面的质量优于60/40;材料为SiO2和TiO2;膜系结构为基板两个表面上分别沉积多层薄膜,第一膜系为24层,由内到外的材料及厚度分别为TiO2层29纳米、SiO2层132纳米、TiO2层68纳米、SiO2层431纳米、TiO2层68纳米、SiO2层108纳米、TiO2层68纳米、SiO2层108纳米、TiO2层68纳米、SiO2层108纳米、TiO2层68纳米、SiO2层431纳米、TiO2层68纳米、SiO2层108纳米、TiO2层68纳米、SiO2层108纳米、TiO2层68纳米、SiO2层108纳米、TiO2层68纳米、SiO2层431纳米、TiO2层68纳米、SiO2层108纳米、TiO2层90纳米、SiO2层121纳米;第二膜系为68层,由内到外的材料及厚度分别为TiO2层28纳米、SiO2层62纳米、TiO2层48纳米、SiO2层73纳米、TiO2层44纳米、SiO2层67纳米、TiO2层41纳米、SiO2层66纳米、TiO2层41纳米、SiO2层70纳米、 TiO2层39纳米、SiO2层62纳米、TiO2层37纳米、SiO2层63纳米、TiO2层34纳米、SiO2层68纳米、TiO2层53纳米、SiO2层81纳米、TiO2层47纳米、SiO2层77纳米、 TiO2层50纳米、SiO2层84纳米、TiO2层59纳米、SiO2层83纳米、TiO2层49纳米、SiO2层77纳米、TiO2层49纳米、SiO2层84纳米、TiO2层61纳米、SiO2层85纳米、TiO2层48纳米、SiO2层72纳米、TiO2层36纳米、SiO2层75纳米、TiO2层92纳米、SiO2层152纳米、TiO2层97纳米、SiO2层145纳米、TiO2层83纳米、SiO2层144纳米、TiO2层90纳米、SiO2层145纳米、TiO2层85纳米、SiO2层144纳米、TiO2层88纳米、SiO2层145纳米、TiO2层88纳米、SiO2层147纳米、TiO2层93纳米、SiO2层149纳米、TiO2层101纳米、SiO2层170纳米、TiO2层111纳米、SiO2层178纳米、TiO2层103纳米、SiO2层169纳米、TiO2层105纳米、SiO2层175纳米、TiO2层108纳米、SiO2层173纳米、TiO2层104纳米、SiO2层173纳米、TiO2层107纳米、SiO2层173纳米、TiO2层108纳米、SiO2层170纳米、TiO2层103纳米、SiO2层84纳米。

2.本发明公开一种635纳米的窄带滤光片及其制作方法,其特征为以玻璃为基板,以SiO2和TiO2为镀膜材料,采用电子束蒸发,真空度<10-3pa,温度在小于250℃以下的条件下,加以离子辅助沉积,采用反射光的间接控制,水晶监控沉积速率以保持其稳定的沉积速率,沉积速率少于8Å/S。

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