[发明专利]半导体存储器件

说明书

公开了一种半导体存储器件。该半导体存储器件包括存储体和刷新操作控制单元。存储体包括多个字线。刷新操作控制单元适用于响应智能刷新命令而对多个字线中的目标字线的第一相邻字线组执行第一刷新操作，并在第一刷新操作之后对目标字线的第二相邻字线组执行第二刷新操作。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2014年12月08日向韩国提交的编号为10-2014-0174913的专利申请的优先权，其整体内容通过引用合并于此。

技术领域

本发明的典型实施例涉及半导体设计技术，更具体地，涉及一种执行刷新操作的半导体存储器件。

背景技术

半导体存储器件包括用于存储数据的多个存储体，其中所述多个存储体中每个存储体包括数千万的存储单元。每个存储单元包括单元电容器和单元晶体管，且半导体存储器件通过对单元电容器充电和放电来存储数据。理想情况下，单元电容器中存储的电荷量总是一直保持不变的。然而，在实际情况下，单元电容器中存储的电荷量会由于外围电路之间的电压差而改变。随着时间的推移，单元电容器的电荷可能丢失。如上所述，单元电容器中存储的电荷的变化代表了存储在单元电容器中数据的变化，意味着存储的数据有可能丢失损坏。

为了避免上述的数据丢失，半导体存储器件执行刷新操作。

随着加工工艺的发展，半导体存储器件的集成度日益提高，并因此影响了存储体的尺寸。存储体的尺寸的降低使得存储单元之间的间隔(或距离)降低。另外，耦接到相邻存储单元的字线之间的间隔也降低了。由于字线之间的间隔降低了，出现了新的问题，如相邻字线间的耦合效应。当相邻字线间出现耦合效应时，耦接到字线的存储单元中存储的数据可能损坏或丢失。也就是说，存储单元丢失数据的可能性很大。

为了防止这样的问题，半导体存储器件对存储体的所有存储单元执行刷新操作。也就是说，刷新操作的次数可能增加以将数据的可靠性维持在可接受的水平。然而，刷新操作次数的增加降低了半导体存储器件的工作效率。

发明内容

各种实施例都是针对一种半导体存储器件，该半导体存储器件能够通过控制刷新操作来防止由于高集成度导致的数据丢失。

在一个实施例中，半导体存储器件包括存储体和刷新操作控制单元。存储体包括多个字线。刷新操作控制单元适用于响应智能刷新命令而对多个字线的目标字线的第一相邻字线组执行第一刷新操作，并在第一刷新操作之后对目标字线的第二相邻字线组执行第二刷新操作。

优选地，在多个字线中，第一相邻字线组可以是与目标字线第一相邻的字线，且第二相邻字线组可以是与目标字线第二相邻的字线。

优选地，半导体存储器件还可以包括正常命令生成单元和智能命令生成单元。正常命令生成单元适用于响应刷新命令以生成正常刷新命令，而智能命令生成单元适用于计数刷新命令，并每当刷新命令计数第一预定次数时，生成智能刷新命令，其中，当智能刷新命令被激活时正常刷新命令被去激活。

优选地，正常命令生成单元可以计数刷新命令并生成在各个预定周期被激活的正常刷新命令。

优选地，智能命令生成单元可以计数刷新命令以在各个第一预定周期激活智能刷新命令来执行第一智能模式，并计数刷新命令以在各个第二预定周期激活用来执行第二智能模式的智能刷新命令。

优选地，刷新操作控制单元可以响应正常刷新命令而顺序地访问多个字线。