[发明专利]电传输馈入结构及具有其的PECVD设备

说明书

技术领域

本发明涉及太阳能电池技术领域，具体而言，涉及一种电传输馈入结构及具有其的PECVD设备。

背景技术

目前，在光伏电池领域，硅基薄膜的太阳能电池因其原材料丰富、无污染、制备工艺简单、便于大面积连续化生产等优点，受到广泛关注。纳米晶硅具有较高的光吸收系数和很好的光稳定性，目前广泛应用于硅基薄膜的太阳能电池上。其中，为了保证光的充分吸收，纳米晶硅薄膜层的厚度一般要求1-3μm。传统PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition，等离子体增强化学气相沉积)设备在生产纳米晶硅薄膜时，薄膜厚度不均匀，影响使用。因此，目前亟需一种设备以提高薄膜均匀性。

发明内容

本发明的主要目的在于提供一种电传输馈入结构及具有其的PECVD设备，以解决现有技术中薄膜不均匀的问题。

为了实现上述目的，根据本发明的一个方面，提供了一种电传输馈入结构，电传输馈入结构包括：两个屏蔽层；两个绝缘介质层，设置在两个屏蔽层之间；导电层，设置在两个绝缘介质层之间；导电层包括输入端和输出端，输出端包括多个连接点。

进一步地，导电层还包括导电本体，输入端设置在导电本体的一端，输出端设置在导电本体的另一端。

进一步地，输出端还包括输出端本体，多个连接点设置在输出端本体上。

进一步地，多个连接点以导电本体的端部为中心呈中心对称设置。

进一步地，输出端本体包括两个竖板和一个横板以构成H型一体结构，导电本体的端部与横板的中点连接。

进一步地，输出端包括四个连接点，两个连接点分别设置在一个竖板的两端，另外两个连接点分别设置在另一个竖板的两端。

进一步地，两个绝缘介质层的介电常数为2至3。

进一步地，两个绝缘介质层的厚度在0.5至15mm的范围内。

进一步地，两个绝缘介质层由聚四氟乙烯或陶瓷介质材料构成。

根据本发明的另一方面，提供了一种PECVD设备，包括上述的电传输馈入结构。

应用本发明的技术方案，通过在导电层的输出端设置多个连接点，并通过多个连接点与PECVD设备上的电极连接，如此能够对电极的输出进行分配，从而使得纳米晶硅薄膜的沉积更加均匀。

附图说明

构成本申请的一部分的说明书附图用来提供对本发明的进一步理解，本发明的示意性实施例及其说明用于解释本发明，并不构成对本发明的不当限定。在附图中：

图1示出了根据本发明实施例提供的电传输馈入结构的纵向剖面图；

图2示出了根据本发明实施例提供的电传输馈入结构的示意图；

图3示出了根据本发明实施例提供的PECVD设备的局部结构示意图。

其中，上述附图包括以下附图标记：

10、屏蔽层；20、绝缘介质层；30、导电层；31、输入端；32、输出端；321、连接点；322、输出端本体；322a、竖板；322b、横板；33、导电本体；40、电极圆柱；50、真空室。

具体实施方式

需要说明的是，在不冲突的情况下，本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。下面将参考附图并结合实施例来详细说明本发明。

如图1和图2所示，本发明实施例提供一种电传输馈入结构，该电传输馈入结构包括：两个屏蔽层10、两个绝缘介质层20以及导电层30。其中，两个绝缘介质层20设置在两个屏蔽层10之间，导电层30设置在两个绝缘介质层20之间，导电层30包括输入端31和输出端32，输出端32包括多个连接点321。

本发明实施例提供的电传输馈入结构，通过在导电层30的输出端32设置多个连接点321，并通过多个连接点321与PECVD设备上的电极连接，相对现有技术中只通过1个连接点连接，本发明提供的电传输馈入结构能够对电极的输出进行分配，从而使得纳米晶硅薄膜的沉积更加均匀。

在本发明提供的实施例中，导电层30还包括导电本体33，输入端31设置在导电本体33的一端，输出端32设置在导电本体33的另一端。

具体地，该输出端32还包括输出端本体322，多个连接点321设置在输出端本体322上。其中，输出端本体322可以设置为棒状、块状等，为了承受更大电流、输出更大功率，将输出端本体322设置为片状结构，以扩大输出端本体322的表面积。