[发明专利]一种基于体硅材料的外力驱动MEMS开关及其制作方法在审
申请号: | 201510453804.1 | 申请日: | 2015-07-29 |
公开(公告)号: | CN104992879A | 公开(公告)日: | 2015-10-21 |
发明(设计)人: | 韩磊;高晓峰 | 申请(专利权)人: | 东南大学 |
主分类号: | H01H59/00 | 分类号: | H01H59/00;H01H11/00 |
代理公司: | 江苏永衡昭辉律师事务所 32250 | 代理人: | 王斌 |
地址: | 210096*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 基于 材料 外力 驱动 mems 开关 及其 制作方法 | ||
1.一种基于体硅材料的外力驱动MEMS开关,其特征在于:包括衬底(5)、设置在衬底上的微带线的信号线(1)、开关动端(3)、开关静端(4);所述微带线的信号线(1)中间部分断开,所述开关动端(3)和所述开关静端(4)分别与所述微带线的信号线(1)中间断开部分两端的信号线连接;所述开关动端(3)与所述开关静端(4)均沿着垂直衬底(5)的方向延伸,并组成开关结构;所述开关动端(3)为末端能够变形的弹簧结构;当二者连通时,所述开关动端(3)的弹簧末端正好与所述开关静端(4)的末端接触。
2.根据权利要求1所述的基于体硅材料的外力驱动MEMS开关,其特征在于:所述开关动端(3)为末端能够下压的S形弹簧结构,所述开关静端(4)为反向的C形结构。
3.根据权利要求1所述的基于体硅材料的外力驱动MEMS开关,其特征在于:所述结构通过微电子加工工艺,采用硅材料制作。
4.根据权利要求1所述的基于体硅材料的外力驱动MEMS开关,其特征在于:所述结构采用高阻硅材料,并在表面电镀金属实现导电。
5.一种制作如权利要求1所述的基于体硅材料的外力驱动MEMS开关的制作方法,步骤如下:
1)准备高阻硅衬底,在所述高阻硅衬底侧面光刻、显影出开关动端和开关静端图形;
2)深反应离子刻蚀刻蚀掉多余硅体,去胶,形成开关动端结构和反向开关静端结构;
3)减薄硅片,正面电镀金,反面电镀金;
4)划片,将相同的开关结构化成单独的一个个结构,形成单独的开关动端与开关静端结构;
5)微组装开关动端和开关静端结构,得到完整开关结构。
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