[发明专利]基于CCD的激光熔覆方法在审

专利信息
申请号: 201510454893.1 申请日: 2015-07-29
公开(公告)号: CN104962908A 公开(公告)日: 2015-10-07
发明(设计)人: 石世宏;陆斌;傅戈雁;方琴琴 申请(专利权)人: 苏州大学
主分类号: C23C24/10 分类号: C23C24/10
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 唐灵;常亮
地址: 215123 江苏*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 基于 ccd 激光 方法
【权利要求书】:

1.一种基于CCD的激光熔覆方法,其特征在于,所述基于CCD的激光熔覆方法包括如下步骤:

S1.建立零件的三维模型,并对建立的三维模型进行分层处理,获取零件的轮廓层面信息;

S2.设定激光熔覆的参数下,逐层熔覆堆积零件;

S3.通过CCD监控零件堆积过程中,每层的提升量的数值,选取稳定性好的提升量数值,作为基准提升量,记为h1;

S4.根据获取的零件的轮廓层面信息,逐层熔覆堆积零件,同时,CCD计算每层的提升量,记为h2;

S5.每层熔覆过程中,对比h1和相应h2之间的大小关系,根据对比结果,调节激光熔覆的功率,并进行下一层的熔覆;

S6.当零件的总高度大于等于设计高度时,熔覆结束。

2.根据权利要求1所述的基于CCD的激光熔覆方法,其特征在于,所述步骤S2中,所述激光熔覆的参数为:激光功率800w,扫描速度7mm/s,激光离焦量-3.5mm,送粉量8g/min。

3.根据权利要求1所述的基于CCD的激光熔覆方法,其特征在于,所述步骤S2中,逐层堆积的层数为20层。

4.根据权利要求1所述的基于CCD的激光熔覆方法,其特征在于,所述步骤S5具体包括:

S51.当h1大于h2时,降低所述激光熔覆的功率,并进行下一层的熔覆;

S52.当h1等于h2时,保持所述激光熔覆的功率恒定,并进行下一层的熔覆;

S53.当h1小于h2时,提升所述激光熔覆的功率,并进行下一层的熔覆。

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