[发明专利]一种阵列基板、其制作方法、液晶显示面板及显示装置有效
申请号: | 201510455126.2 | 申请日: | 2015-07-27 |
公开(公告)号: | CN105097840B | 公开(公告)日: | 2018-12-11 |
发明(设计)人: | 蔡振飞;纪强强;刘国全;陈正伟 | 申请(专利权)人: | 合肥鑫晟光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L21/77;G02F1/1362;G02F1/1343;G02F1/1368 |
代理公司: | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人: | 黄志华 |
地址: | 230011 *** | 国省代码: | 安徽;34 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 阵列 制作方法 液晶显示 面板 显示装置 | ||
1.一种阵列基板,其特征在于,包括:衬底基板,位于所述衬底基板上依次层叠设置的第一电极、第一绝缘层、薄膜晶体管、第二绝缘层、有机层和第二电极;所述阵列基板还包括:与所述薄膜晶体管的栅极同层设置且与栅线电性连接的第二接线端子;
所述第一电极为公共电极,所述第二电极为像素电极;
还包括:位于所述公共电极与所述衬底基板之间或位于所述公共电极与所述第一绝缘层之间的公共电极线;
所述公共电极线在所述衬底基板的正投影设置于所述薄膜晶体管在所述衬底基板的正投影内。
2.如权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述薄膜晶体管,包括:在所述第一绝缘层上依次层叠设置的栅极、栅绝缘层、有源层、以及源极和漏极;
所述像素电极通过贯穿所述第二绝缘层和所述有机层的第一过孔与所述漏极电性连接。
3.如权利要求2所述的阵列基板,其特征在于,所述第二绝缘层和所述有机层具有贯穿所述第二绝缘层和所述有机层以露出与数据线电性连接的第一接线端子的第二过孔。
4.如权利要求2所述的阵列基板,其特征在于,所述有机层、所述第二绝缘层和所述栅绝缘层具有贯穿所述有机层、所述第二绝缘层和所述栅绝缘层以露出与栅线电性连接的第二接线端子的第三过孔。
5.如权利要求2所述的阵列基板,其特征在于,所述有机层、所述第二绝缘层、所述栅绝缘层和所述第一绝缘层具有贯穿所述有机层、所述第二绝缘层、所述栅绝缘层和所述第一绝缘层以露出与所述公共电极线电性连接的第三接线端子的第四过孔。
6.一种液晶显示面板,其特征在于,包括:如权利要求1-5任一项所述的阵列基板和与所述阵列基板相对而置的对向基板,以及位于所述阵列基板与所述对向基板之间的液晶层。
7.一种显示装置,其特征在于,包括:如权利要求6所述的液晶显示面板。
8.一种阵列基板的制作方法,其特征在于,包括:
在衬底基板上依次形成包括第一电极、第一绝缘层、薄膜晶体管、第二绝缘层、有机层和第二电极的图形;
还包括形成与所述薄膜晶体管的栅极同层设置且与栅线电性连接的第二接线端子的步骤;
形成包括第一电极的图形,具体包括:形成包括公共电极的图形;形成包括第二电极的图形,具体包括:形成包括像素电极的图形;
在形成包括公共电极的图形之前,或在形成包括公共电极的图形之后,在形成包括第一绝缘层的图形之前,还包括:形成包括公共电极线的图形;
所述公共电极线在所述衬底基板的正投影设置于所述薄膜晶体管在所述衬底基板的正投影内。
9.如权利要求8所述的方法,其特征在于,形成包括薄膜晶体管的图形,具体包括:形成包括栅极的图形;在形成有所述栅极的图形的衬底基板上形成栅绝缘层;在所述栅绝缘层上形成包括有源层的图形;在形成有所述有源层的图形的衬底基板上形成包括源极和漏极的图形;
形成包括第二绝缘层和有机层的图形,具体包括:
形成第二绝缘层薄膜;
在所述第二绝缘层薄膜上形成有机层薄膜;
以所述有机层薄膜为光刻胶对所述第二绝缘层薄膜进行构图工艺,形成贯穿所述第二绝缘层薄膜和所述有机层薄膜以电性连接漏极与将要形成的像素电极的图形的第一过孔。
10.如权利要求9所述的方法,其特征在于,以有机层薄膜为光刻胶对第二绝缘层薄膜进行构图工艺,形成第一过孔的同时,还包括:
形成贯穿所述第二绝缘层薄膜和所述有机层薄膜以露出与数据线电性连接的第一接线端子的第二过孔。
11.如权利要求9所述的方法,其特征在于,以有机层薄膜为光刻胶对第二绝缘层薄膜进行构图工艺的同时,还包括:
以所述有机层薄膜为光刻胶对所述第二绝缘层薄膜和所述栅绝缘层进行构图工艺,形成贯穿所述有机层薄膜、所述第二绝缘层薄膜和所述栅绝缘层以露出与栅线电性连接的第二接线端子的第三过孔。
12.如权利要求9所述的方法,其特征在于,以有机层薄膜为光刻胶对第二绝缘层薄膜进行构图工艺的同时,还包括:
以所述有机层薄膜为光刻胶对所述第二绝缘层薄膜、所述栅绝缘层和所述第一绝缘层进行构图工艺,形成贯穿所述有机层薄膜、所述第二绝缘层薄膜、所述栅绝缘层和所述第一绝缘层以露出与所述公共电极线电性连接的第三接线端子的第四过孔。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于合肥鑫晟光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司,未经合肥鑫晟光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201510455126.2/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的