[发明专利]有机发光二极管装置

权利要求书

1.一种有机发光二极管装置，包括：

位于阳极和阴极之间的第一发光部，所述第一发光部包括第一发光层；

在所述第一发光部上的第二发光部，所述第二发光部包括第二发光层；和

位于所述第一发光部和所述第二发光部之间的第一电荷发生层，

其中所述第一电荷发生层包括N-型电荷发生层和P-型电荷发生层，并且所述N-型电荷发生层包括掺质和至少两种基质，并且在所述N-型电荷发生层中所包括的所述至少两种基质中的至少一种基质包括以下化学式1表示的芘化合物：

[化学式1]

其中p、q、r和s各为0、1或满足1≤p+q+r+s≤4的整数，并且Ar₁、Ar₂、Ar₃和Ar₄独立地为下列结构中的至少一种：

其中X₁至X₆中的至少一个、X₇至X₁₄中的至少一个、X₁₅至X₂₂中的至少一个、X₂₃至X₃₂中的至少一个和X₃₃至X₄₂中的至少一个包括C、N、S和O中的至少一种，并且R₁、R₂、R₃、R₄和R₅独立地为取代的或未取代的烷基、芳基、杂芳基、芳基胺和杂芳基胺化合物中的至少一种。

2.根据权利要求1所述的有机发光二极管装置，其中所述第一发光部进一步包括位于所述阳极与所述第一发光层之间的空穴传输层和位于所述第一发光层与所述第一电荷发生层之间的电子传输层。

3.根据权利要求1所述的有机发光二极管装置，其中所述第二发光部进一步包括位于所述第一电荷发生层与所述第二发光层之间的空穴传输层和位于所述第二发光层与所述阴极之间的电子传输层。

4.根据权利要求1所述的有机发光二极管装置，其中所述N-型电荷发生层的厚度为至

5.根据权利要求1所述的有机发光二极管装置，其中在所述N-型电荷发生层中所包括的所述至少两种基质中的至少一种基质具有电子传输特性。

6.根据权利要求1所述的有机发光二极管装置，其中所述R₁、R₂、R₃、R₄和R₅为苯、萘、联苯、吡啶、喹啉、喹喔啉、芴、邻二氮杂菲和菲结构中的至少一种。

7.根据权利要求1所述的有机发光二极管装置，其中所述芘化合物为以下化合物中的至少一种：

8.根据权利要求1所述的有机发光二极管装置，其中所述芘化合物的取代基位于不与所述芘化合物的平面平行的位置处。

9.根据权利要求1所述的有机发光二极管装置，进一步包括：

在所述第二发光部上的第三发光部，所述第三发光部包括第三发光层；和

在所述第二发光部与所述第三发光部之间的第二电荷发生层，

其中所述第一电荷发生层或所述第二电荷发生层包括至少两种基质，并且在所述第一电荷发生层或所述第二电荷发生层中所包括的所述至少两种基质中的至少一种基质包括所述芘化合物。

10.根据权利要求9所述的有机发光二极管装置，其中所述第二电荷发生层包括N-型电荷发生层和P-型电荷发生层，在所述第二电荷发生层中所包括的所述N-型电荷发生层包括所述芘化合物。

11.根据权利要求10所述的有机发光二极管装置，其中在所述第二电荷发生层中所包括的所述N-型电荷发生层的厚度为至