[发明专利]等离子体处理装置和等离子体处理方法

说明书

本发明提供一种等离子体处理装置和等离子体处理方法。目的在于在腔室内的电极上形成作为靶发挥功能的膜并对所形成的膜进行溅射。在该等离子体处理装置中，载置基板的第一电极与同上述第一电极相向地配置的第二电极以隔开规定的间隙的方式相向地配置，该等离子体处理装置具有：第一高频电源，其向上述第二电极供给第一高频电力；直流电源，其向上述第二电极供给直流电力；以及气体供给源，其向腔室内供给气体，上述第二电极具有利用通过供给第一气体和上述第一高频电力而生成的等离子体形成的反应产物的膜，上述第二电极成为利用通过供给第二气体、上述第一高频电力以及上述直流电力而生成的等离子体对上述反应产物的膜进行溅射的靶。

技术领域

本发明涉及一种等离子体处理装置和等离子体处理方法。

背景技术

提出了一种对靶材施加直流电力来对靶材进行溅射以形成膜的方法(例如参照专利文献1、2)。例如，在专利文献1中公开了一种通过对靶材施加脉冲状的直流电力来对接触孔、通孔、配线槽等的内壁面形成膜的溅射成膜方法。

专利文献1：日本特开2009-280916号公报

专利文献2：日本特开2004-266112号公报

发明内容

发明要解决的问题

然而，在专利文献1、2中，对配置在腔室内的靶材执行溅射，因此难以对不具有适于预先配置在腔室内的靶材的膜使用上述溅射成膜方法。

例如，期望通过溅射对如包含碳(C)和氟(F)的膜那样的不具有适于预先配置在腔室内的靶材的膜进行成膜。

针对上述问题，在一个方面，本发明的目的在于在腔室内的电极上形成作为靶材发挥功能的膜并对所形成的膜进行溅射。

用于解决问题的方案

为了解决上述问题，根据一个方式，提供一种等离子体处理装置，载置基板的第一电极与同上述第一电极相向地配置的第二电极以隔开规定的间隙的方式相向地配置，该等离子体处理装置具有：第一高频电源，其向上述第二电极供给第一高频电力；直流电源，其向上述第二电极供给直流电力；以及气体供给源，其向腔室内供给气体，其中，上述第二电极具有利用通过供给第一气体和上述第一高频电力而生成的等离子体形成的反应产物的膜，上述第二电极成为利用通过供给第二气体、上述第一高频电力以及上述直流电力而生成的等离子体对上述反应产物的膜进行溅射的靶。

发明的效果

根据一个方式，能够在腔室内的电极上形成作为靶材发挥功能的膜并对所形成的膜进行溅射。

附图说明

图1是表示一个实施方式所涉及的等离子体处理装置的整体结构的一例的图。

图2是表示一个实施方式所涉及的等离子体处理方法的一例的流程图。

图3是表示一个实施方式所涉及的等离子体处理方法的效果的一例的图。

图4是表示一个实施方式所涉及的直流电压施加时间与掩膜的宽度之间的关系的图。

附图标记说明

10：等离子体处理装置；12：腔室；15：上部电极；16：电极支承体；18：高频电力源；19：直流电源；20：载置台(下部电极)；22：静电卡盘；26：聚流环；28：高频电力源；32：气体供给源；110：ArF抗蚀膜；120：防反射膜；130：有机膜；200：控制部。

具体实施方式