[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，其俯视时为矩形，在封装树脂内一体化地具有转换器部以及逆变器部，

该半导体装置的特征在于具备：

外部连接用的多个转换器输出端子，其与所述转换器部电连接，俯视时设置在一个侧面侧；

外部连接用的多个转换器输入端子，其与所述转换器部电连接，俯视时设置在与一个侧面相对的另一个侧面侧；以及

外部连接用的相邻外部端子，其在所述一个侧面侧与所述多个转换器输出端子相邻地设置，

所述多个转换器输出端子彼此电气独立，所述多个转换器输入端子彼此电气独立，

外部端子用的转换器输出端子在俯视时没有设置于所述另一个侧面侧，外部端子用的转换器输入端子在俯视时没有设置于所述一个侧面侧，

所述多个转换器输出端子以及所述相邻外部端子分类为第1端子组，所述多个转换器输入端子分类为第2端子组，所述第1端子组及第2端子组具有相同数量的端子，

所述第1端子组中彼此相邻的两个端子之间的各自的第1距离和所述第2端子组中彼此相邻的两个端子之间的各自的第2距离设定为相同长度。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

还具备制动部，该制动部设置为，在所述封装树脂内与所述转换器部及所述逆变器部一体化，与所述逆变器部电连接。

3.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，

所述制动部具有IGBT，

所述半导体装置还具备外部连接用的IGBT发射极端子，该外部连接用的IGBT发射极端子与所述IGBT的发射极电极电连接，设置在所述一个侧面侧，

所述相邻外部端子是所述IGBT发射极端子。

4.根据权利要求3所述的半导体装置，其特征在于，还具备：

外部连接用的IGBT集电极端子，其与所述IGBT的集电极电极电连接，设置在所述另一个侧面侧；以及

外部连接用的电源端子，其与所述制动部及所述逆变器部电连接，设置在所述另一个侧面侧，

所述IGBT集电极端子和所述电源端子彼此相邻配置。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的半导体装置，其特征在于，

所述逆变器部在内部具有至少一个功率元件，

所述至少一个功率元件将SiC作为构成材料。