[发明专利]有机发光显示器有效
申请号: | 201510455816.8 | 申请日: | 2015-07-29 |
公开(公告)号: | CN105321983B | 公开(公告)日: | 2019-04-05 |
发明(设计)人: | 朴振佑 | 申请(专利权)人: | 乐金显示有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L27/02 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金国 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电容器 第一电容器 电极 下电极 钝化层 有机层 有机发光显示器 有机绝缘层 像素电极 基板 栅极绝缘层 发光层 | ||
1.一种有机发光显示器,包括:
基板;
形成于所述基板上的第一电容器,所述第一电容器包括第一电容器下电极、第一电容器上电极和插入在所述第一电容器下电极与所述第一电容器上电极之间的栅极绝缘层;
形成于所述第一电容器之上的第一钝化层;
形成于所述第一钝化层上的第二电容器,所述第二电容器包括第二电容器下电极、第二电容器上电极和插入在所述第二电容器下电极与所述第二电容器上电极之间的第二钝化层;
形成于所述第二电容器之上的有机绝缘层;
形成于所述有机绝缘层上的像素电极;
形成于所述像素电极上的有机层,所述有机层至少包括发光层;和
形成于所述有机层上的相对电极,
其中所述第二电容器下电极的宽度大于所述第二电容器上电极的宽度,
其中所述第二电容器下电极比所述第二电容器上电极更靠近数据线,并且
其中所述第二电容器下电极被配置成通过将所述第二电容器上电极与所述数据线屏蔽开来减少所述有机发光显示器中的串扰。
2.根据权利要求1所述的有机发光显示器,其中所述第二电容器下电极与数据线之间在平面上的第一距离比所述第二电容器上电极与所述数据线之间在平面上的第二距离短。
3.根据权利要求1所述的有机发光显示器,其中所述第一电容器和所述第二电容器彼此重叠。
4.根据权利要求1所述的有机发光显示器,进一步包括开关薄膜晶体管的漏极电极和连接图案。
5.根据权利要求4所述的有机发光显示器,其中所述漏极电极连接至所述第一电容器上电极,并且所述连接图案连接至所述第一电容器下电极。
6.根据权利要求4所述的有机发光显示器,其中所述第二电容器上电极连接至所述开关薄膜晶体管的所述漏极电极。
7.根据权利要求6所述的有机发光显示器,其中所述第二电容器下电极连接至所述连接图案。
8.根据权利要求1所述的有机发光显示器,其中所述像素电极与所述第一电容器和所述第二电容器两者重叠。
9.一种有机发光显示器,包括:
基板;
在所述基板上沿一个方向布置的第一栅极线和第二栅极线,垂直于所述第一栅极线和所述第二栅极线形成的数据线,以及平行于所述数据线形成的公共电源线和基准电压线;
形成于所述第一栅极线和所述数据线的交叉区域中的开关薄膜晶体管;
形成于所述第二栅极线和所述数据线的交叉区域中的驱动薄膜晶体管;
单独连接至所述开关薄膜晶体管和所述公共电源线的第一电容器,所述第一电容器包括第一电容器下电极和第一电容器上电极,所述第一电容器下电极和所述第一电容器上电极与插入在它们中间的栅极绝缘层形成电容;
单独连接至所述驱动薄膜晶体管和所述基准电压线的第二电容器,所述第二电容器包括第二电容器下电极和第二电容器上电极,所述第二电容器下电极和所述第二电容器上电极与插入在它们中间的第一钝化层形成电容;和
插入在连接至所述驱动薄膜晶体管的像素电极和相对电极之间的有机层,
其中所述第二电容器下电极的宽度大于所述第二电容器上电极的宽度,
其中所述第二电容器下电极比所述第二电容器上电极更靠近所述数据线,并且
其中所述第二电容器下电极被配置成通过将所述第二电容器上电极与所述数据线屏蔽开来减少所述有机发光显示器中的串扰。
10.根据权利要求9所述的有机发光显示器,其中所述第二电容器下电极与所述数据线之间在平面上的第一距离比所述第二电容器上电极与所述数据线之间在平面上的第二距离短。
11.根据权利要求9所述的有机发光显示器,其中所述第一电容器和所述第二电容器彼此重叠。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的