[发明专利]修复半导体衬底加工设备的真空室的方法

权利要求书

1.一种通过在真空室的等离子体或工艺气体暴露表面上形成有机聚合物膜来修复半导体衬底加工设备的真空室的方法，所述方法包括：

(a)使气相的第一反应物二酰氯化物流入到所述真空室中，并且允许所述第一反应物吸附在所述真空室的等离子体或工艺气体暴露表面上；

(b)在所述第一反应物停止流入之后用吹扫气体吹扫所述真空室以从所述真空室吹扫过量的第一反应物；

(c)使选自由二胺、二醇、硫醇和三官能团化合物组成的组的气相的第二反应物流入到所述真空室中，其中所述第一和第二反应物发生反应以在所述真空室的等离子体或工艺气体暴露表面上形成有机聚合物膜层；并且

(d)在所述第二反应物停止流入之后用所述吹扫气体吹扫所述真空室以从所述真空室吹扫过量的第二反应物和反应副产物。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一反应物二酰氯化物选自由乙二酰二氯化物、丙二酰二氯化物、丁二酰二氯化物、戊二酰二氯化物或它们的组合组成的组。

3.根据权利要求1所述的方法，其中：

所述第二反应物二胺选自由1,2-乙二胺、1,3-丙二胺盐、1,4-丁二胺或它们的组合组成的组；

所述第二反应物二醇选自由乙二醇、1,3-丙二醇、1,4-丁二醇和它们的组合组成的组；或者

所述第二反应物硫醇选自由1,2-乙二硫醇、1,3-丙二硫醇、1,4-丁二硫醇和它们的组合组成的组。

4.根据权利要求1所述的方法，其中所述有机聚合物膜不含卤素并且/或者不含硅。

5.根据权利要求1所述的方法，其中：

所述有机聚合物膜仅包括碳、氧、氢和任选地氮和/或硫；并且/或者

形成所述有机聚合物膜的分子的末端形成羟基、胺或硫醇。

6.根据权利要求1所述的方法，其中所述第二反应物三官能团化合物选自由(±)-3-氨基-1,2-丙二醇、甘油、双(六亚甲基)三胺、三聚氰胺、二亚乙基三胺、(±)-1,2,4-丁三醇、氰尿酰氯化物和它们的组合组成的组。

7.根据权利要求1所述的方法，其中所述吹扫气体选自由He、Ar、Ne、H₂、N₂和它们的组合组成的组。

8.根据权利要求1所述的方法，还包括：

重复上述(a)-(d)至少两次以形成所需厚度的所述有机聚合物膜；并且/或者

重复上述(a)-(d)少于1小时，其中所述第一反应物流入到所述真空室中持续0.1s至10s，所述第二反应物流入到所述真空室中持续0.1s至10s，并且所述第一或第二反应物的吹扫执行1s至10s。

9.根据权利要求1所述的方法，其中在(d)中形成的所述有机聚合物膜的厚度为0.1nm至1nm。

10.根据权利要求1所述的方法，其中所述真空室的等离子体或工艺气体暴露表面的温度为20℃至350℃，并且所述真空室中的压强为1至4托。

11.根据权利要求1所述的方法，还包括：

在所述半导体衬底加工设备的真空室中顺序地加工被支撑在基座模块上的半导体衬底；

在加工成盒的半导体衬底之后清洁真空室，其中所述有机聚合物膜被从所述真空室的等离子体或工艺气体暴露表面侵蚀掉；并且

通过根据权利要求1所述的方法在所述等离子体或工艺气体暴露表面上形成有机聚合物膜来修复所述真空室的等离子体或工艺气体暴露表面。

12.根据权利要求1所述的方法，进一步包括在形成所述有机聚合物膜的同时将衬底支撑在所述真空室内的基座模块上，使得所述有机聚合物膜不在所述基座模块的上表面上形成。