[发明专利]蚀刻含钨层的方法在审
| 申请号： | 201510455928.3 | 申请日： | 2015-07-29 |
| 公开（公告）号： | CN105321816A | 公开（公告）日： | 2016-02-10 |
| 发明（设计）人： | 向华;傅乾 | 申请（专利权）人： | 朗姆研究公司 |
| 主分类号： | H01L21/3213 | 分类号： | H01L21/3213 |
| 代理公司： | 上海胜康律师事务所 31263 | 代理人： | 樊英如;李献忠 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 蚀刻 含钨层 方法 | ||
1.一种蚀刻含钨层的方法，其包括：
提供蚀刻气体，所述蚀刻气体包含O2和含氟组分，其中所述蚀刻气体具有的氧原子至少与氟原子一样多；
由所述蚀刻气体形成等离子体；以及
用由所述蚀刻气体形成的等离子体蚀刻所述含钨层。
2.根据权利要求1所述的方法，其中所述蚀刻气体进一步包含N2，其中所述蚀刻气体具有的氮原子至少与氟原子一样多。
3.根据权利要求2所述的方法，其还包括提供至少30毫乇的压强。
4.根据权利要求3所述的方法，其还包括将所述钨层加热到至少30℃。
5.根据权利要求4所述的方法，其还包括提供介于100伏至400伏之间的偏压。
6.根据权利要求5所述的方法，其中Si暴露层、SiO暴露层、SiN暴露层或TiN暴露层暴露于所述含钨层的蚀刻，其中所述含钨层的蚀刻相对于所述暴露层选择性地蚀刻所述含钨层。
7.根据权利要求4所述的方法，其还包括提供小于400伏的偏压。
8.根据权利要求4所述的方法，其中所述钨的蚀刻被保持直至具有至少10:1的深宽比的特征被蚀刻到所述含钨层内。
9.根据权利要求4所述的方法，其中总的蚀刻气体流率不超过1000sccm。
10.根据权利要求1所述的方法，其还包括提供至少60毫乇的压强。
11.根据权利要求1所述的方法，其还包括将所述含钨层加热到至少60℃。
12.根据权利要求1所述的方法，其还包括提供介于100伏至400伏之间的偏压。
13.根据权利要求1所述的方法，其中Si暴露层、SiO暴露层、SiN暴露层或TiN暴露层暴露于所述含钨层的蚀刻，其中所述含钨层的蚀刻相对于所述暴露层选择性地蚀刻所述含钨层。
14.根据权利要求1所述的方法，其还包括提供小于400伏的偏压。
15.根据权利要求1所述的方法，其中所述钨的蚀刻被保持直至具有至少10:1的深宽比的特征被蚀刻到所述含钨层内。
16.根据权利要求1所述的方法，其中总的蚀刻气体流率不超过1000sccm。
17.根据权利要求1所述的方法，其中所述含钨层是纯钨。
18.一种相对于Si层、SiO层、SiN层或TiN层将特征选择性地蚀刻到钨层内的方法，其包括:
提供蚀刻气体，所述蚀刻气体包含O2、N2和含氟组分，其中所述蚀刻气体具有的氧原子至少与氟原子一样多以及具有的氮原子至少与氟原子一样多；
由所述蚀刻气体形成等离子体；
保持至少60毫乇的室压强；
提供介于100伏至400伏之间的偏压；以及
使用由所述蚀刻气体形成的等离子体蚀刻所述钨层，以形成具有至少10比1的深宽比的特征。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
