[发明专利]靶材组件的制造方法

权利要求书

1.一种靶材组件的制造方法，其特征在于，包括：

提供靶材、背板和缓冲层，所述缓冲层的热膨胀系数介于所述靶材的热膨胀系数与背板的热膨胀系数之间；

将所述靶材、缓冲层和背板进行装配形成初始组件，在所述初始组件中，所述缓冲层位于所述靶材和背板之间且分别与所述靶材和背板相接触；

将初始组件进行扩散焊接，形成靶材组件。

2.如权利要求1所述的靶材组件的制造方法，其特征在于，所述背板的材料为Al合金，所述靶材的材料为WTi，所述缓冲层的热膨胀系数介于WTi热膨胀系数和Al合金热膨胀系数之间。

3.如权利要求1所述的靶材组件的制造方法，其特征在于，所述背板的材料为Cu合金，所述靶材的材料为WTi，所述缓冲层的热膨胀系数介于WTi热膨胀系数和Cu合金热膨胀系数之间。

4.如权利要求2或3所述的靶材组件的制造方法，其特征在于，所述缓冲层的材料为钛。

5.如权利要求4所述的靶材组件的制造方法，其特征在于，所述缓冲层的材料为高纯钛，高纯钛中钛的含量大于99.9999％。

6.如权利要求1所述的靶材组件的制造方法，其特征在于，所述缓冲层的厚度为2毫米至3毫米。

7.如权利要求1所述的靶材组件的制造方法，其特征在于，所述扩散焊接的步骤包括：包套焊接、脱气、加热和热等静压工艺。

8.如权利要求7所述的靶材组件的制造方法，其特征在于，所述加热步骤中，工艺温度为200℃至300℃，工艺时间为1小时至3小时。

9.如权利要求7所述的靶材组件的制造方法，其特征在于，所述热等静压工艺中，工艺温度为300℃至400℃，环境压强为150MPa至180MPa，在所述工艺温度和环境压强下的工艺时间为5小时至8小时。

10.如权利要求7所述的靶材组件的制造方法，其特征在于，所述脱气步骤包括：将初始组件放置于包套后，对所述包套进行抽真空，抽真空后所述包套 内的真空度至少为1E-2Pa，且在所述热等静压工艺过程中使所述真空包套保持密封状态。

11.如权利要求1所述的靶材组件的制造方法，其特征在于，与缓冲层相接触的靶材表面为第一焊接面，与背板相接触的缓冲层表面为第二焊接面，将所述靶材、缓冲层和背板进行装配形成初始组件前，所述靶材组件的制造方法还包括：对所述第一焊接面和第二焊接面进行机械加工，在所述第一焊接面和第二焊接面上形成车削螺纹；

对机械加工后的所述靶材、背板和缓冲层进行超声波清洗工艺；

超声波清洗工艺后，真空干燥所述靶材、背板和缓冲层。

12.如权利要求11所述的靶材组件的制造方法，其特征在于，所述超声波清洗工艺所采用的清洗液为异丙醇胺液或无水酒精。

13.如权利要求11所述的靶材组件的制造方法，其特征在于，所述超声波清洗工艺的工艺时间为5分钟至10分钟。

14.如权利要求11所述的靶材组件的制造方法，其特征在于，所述真空干燥的工艺时间为30分钟至60分钟。