[发明专利]一种具有栅控结构的GaN异质结功率二极管在审
| 申请号： | 201510456195.5 | 申请日： | 2015-07-30 |
| 公开（公告）号： | CN105140278A | 公开（公告）日： | 2015-12-09 |
| 发明（设计）人： | 周琦;李建;王泽恒;施媛媛;张安邦;刘丽;张波 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739 |
| 代理公司： | 成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232 | 代理人： | 葛启函 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 具有 结构 gan 异质结 功率 二极管 | ||
【权利要求书】：
1.一种具有栅控结构的GaN异质结功率二极管，包括衬底基片(1)、设置在衬底基片(1)上表面的GaN层(2)和设置在GaN层(2)上表面的AlMN层(3)，所述GaN层(2)和AlMN层(3)形成异质结；所述AlMN层(3)上层一侧具有欧姆接触区(4)；其特征在于，所述AlMN层(3)上层另一侧具有第一凹槽(5)，所述第一凹槽(5)贯穿AlMN层(3)并嵌入GaN层(2)中，所述第一凹槽(5)填充有第一肖特基金属(6)；所述AlMN层(3)与第一肖特基金属(6)的连接处具有第二凹槽(7)，所述第二凹槽(7)的底部及其与AlMN层(3)相连的侧壁具有介质层(8)，所述介质层(8)沿AlMN层(3)向靠近欧姆接触区(4)的方向延伸；所述第二凹槽(7)中填充有第二肖特基金属(9)，所述第二肖特基金属(9)向两侧延伸并完全覆盖在第一肖特基金属(6)的上表面和介质层(8)的上表面。
2.根据权利要求1所述的一种具有栅控结构的GaN异质结功率二极管，其特征在于，所述AlMN层(3)中M为Ga、In或Ga与In的混合物。
3.根据权利要求1所述的一种具有栅控结构的GaN异质结功率二极管，其特征在于，所述介质层(8)为为SiO2、Si3N4、Al2O3、ZrO2、TiO2和HfO2中的一种或者几种形成的堆层结构。
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