[发明专利]一种半导体衬底及选择性生长半导体材料的方法

权利要求书

1.一种半导体衬底，其特征在于，所述衬底包含一个位于介质层基底上的用于半导体材料生长的晶体生长面和两个位于晶体生长面两侧、且与晶体生长面相连的介质层表面，两个介质层表面向外扩展，与晶体生长面构成漏斗形结构；所述晶体生长面含有一个由单晶构成的单晶面。

2.根据权利要求1所述的衬底，其特征在于，所述衬底还可以包含一个位于晶体生长面和介质层侧面的上方的介质层表面，所述介质层表面与介质层基底相对。

3.根据权利要求1所述的衬底，其特征在于，所述晶体生长面还可以含有一个或多个介质层表面。

4.根据权利要求1所述的衬底，其特征在于，所述晶体生长面的上下跨度和左右跨度均小于100μm，优选为1μm以下，进一步优选为100nm以下。

5.根据权利要求1所述的衬底，其特征在于，所述单晶选自Si、SiGe、Ge、GaN、GaAs、InP、InN、AlGaAs、AlGaN、InPGaN等。

6.根据权利要求1、2或3所述的衬底，其特征在于，所述介质层表面由SiO₂、SiN或HfO等材料中的一种或多种构成。

7.一种选择性生长半导体材料的方法，其特征在于，该方法采用权利要求1所述的衬底，通过MOCVD、MBE、HVPE等技术手段实现选择性生长。

8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述选择性生长过程中使用的前驱体可以为TMGa、TEGa、NH₃、AsH₃、PH₃、SiH₄、GeH₄、SiH₂Cl₂、TMAl或TBAs等。

9.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述选择性生长采用刻蚀气体，所述刻蚀气体为Cl₂、HCl等。

10.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述选择性生长方法所生长的半导体材料为Si、SiGe、Ge、GaN、GaAs、InP、InN、AlGaAs、AlGaN或InPGaN等。